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晶片蚀刻装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711128503.7
申请日：
2017-11-15
公开(公告)号：
CN109300803B
公开(公告)日：
2019-02-01
发明(设计)人：
尹炳文
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L2167
IPC分类号：
H01L2102
代理机构：
北京市中伦律师事务所 11410
代理人：
李波;但提提
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-06-14 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/67 登记生效日:20220601 变更事项:专利权人 变更前权利人:无尽电子有限公司 变更后权利人:艾斯宜株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:韩国京畿道 变更后权利人:韩国京畿道 |
| 2022-04-22 | 授权 | 授权 |
| 2019-02-01 | 公开 | 公开 |
| 2019-03-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20171115 |