晶片蚀刻装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711128503.7

申请日：

2017-11-15

公开(公告)号：

CN109300803B

公开(公告)日：

2019-02-01

发明(设计)人：

尹炳文

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京市中伦律师事务所 11410

代理人：

李波;但提提

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/67 登记生效日:20220601 变更事项:专利权人变更前权利人:无尽电子有限公司变更后权利人:艾斯宜株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道
2022-04-22	授权	授权
2019-02-01	公开	公开
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20171115

共 50 条

[21]

一种探测器芯片的外延片蚀刻装置 [P].

黄祥恩 ;

陈春明 ;

匡嘉乐 .

中国专利 :CN212783398U ,2021-03-23

[22]

晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备 [P].

加藤健夫 ;

桥井友裕 ;

村山克彦 ;

古屋田荣 ;

高石和成 .

中国专利 :CN101276756A ,2008-10-01

[23]

蚀刻硅晶片边缘的方法 [P].

H·F·埃瑞克 ;

P·D·阿尔布雷克特 ;

E·R·霍兰德 ;

T·E·多恩 ;

J·A·施密特 ;

R·R·旺达姆 ;

G·张 .

中国专利 :CN101981664A ,2011-02-23

[24]

用于蚀刻系统的晶片轮廓 [P].

杰夫瑞·奇·张 ;

约翰·盖基尔 ;

杰瑞·D·莱昂哈德 ;

大卫·P·苏尔杜克 ;

本杰明·谢弗 ;

雷·扬 .

中国专利 :CN109075058A ,2018-12-21

[25]

氮化物垫片蚀刻工艺的方法及蚀刻终点侦测系统 [P].

周文彬 ;

程士远 ;

杜文江 .

中国专利 :CN100468677C ,2005-06-29

[26]

一种提高晶片处理良率的蚀刻装置及其蚀刻方法 [P].

左涛涛 ;

倪图强 ;

吴狄 .

中国专利 :CN105789088A ,2016-07-20

[27]

蚀刻装置、蚀刻方法以及由所述蚀刻方法所蚀刻的挠性膜 [P].

郑载润 ;

金基秀 ;

曺承旻 .

中国专利 :CN107086187B ,2017-08-22

[28]

一种晶片干蚀刻的装置及控制方法 [P].

李甲元 .

中国专利 :CN101246354A ,2008-08-20

[29]

用于对蚀刻层进行蚀刻的方法以及晶圆蚀刻装置 [P].

马尼什·库马尔·辛格 ;

周柏玮 ;

施瑞明 ;

顾文昱 ;

黄秉荣 ;

游弼钧 .

中国专利 :CN106098586A ,2016-11-09

[30]

等离子体处理系统中优化基片蚀刻的方法 [P].

金智洙 ;

比内特·沃尔沙姆 ;

严必明 ;

彼得·K·勒文哈德特 .

中国专利 :CN1997771A ,2007-07-11

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