氮化物垫片蚀刻工艺的方法及蚀刻终点侦测系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02826533.5

申请日：

2002-10-23

公开(公告)号：

CN100468677C

公开(公告)日：

2005-06-29

发明(设计)人：

周文彬程士远杜文江

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;王忠忠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-12-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101637678428 IPC(主分类):H01L 21/66 专利号:ZL028265335 申请日:20021023 授权公告日:20090311 终止日期:20141023
2005-06-29	公开	公开
2009-03-11	授权	授权

共 50 条

[1]

高选择性氮化物蚀刻工艺 [P].

J·B·张 ;

S·U·恩格尔曼 ;

N·C·M·富勒 ;

M·A·古罗恩 ;

中村昌洋 .

中国专利 :CN103890918A ,2014-06-25

[2]

氮化物蚀刻剂组合物和方法 [P].

E·洪 ;

洪性辰 ;

金元来 ;

梁正烈 ;

蔡升贤 ;

余珠姬 .

美国专利 :CN116096837B ,2025-05-13

[3]

金属氮化物膜蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法 [P].

朴贤雨 ;

南硕泫 ;

李明镐 ;

宋明根 .

中国专利 :CN115433581A ,2022-12-06

[4]

蚀刻时间侦测方法及蚀刻时间侦测系统 [P].

萧郁伦 .

中国专利 :CN110530825A ,2019-12-03

[5]

氮化物半导体材料的蚀刻方法 [P].

彭隆瀚 ;

庄志伟 ;

何晋国 ;

陈金源 .

中国专利 :CN1060541C ,1999-03-31

[6]

用于控制蚀刻工艺的系统及方法 [P].

F·察赫 .

中国专利 :CN107924855B ,2018-04-17

[7]

一种用于玻璃蚀刻的组合物及蚀刻工艺 [P].

张喜华 ;

赵军华 .

中国专利 :CN112456809A ,2021-03-09

[8]

有时分多重蚀刻工艺中的终点检测 [P].

罗素·韦斯特曼 ;

大卫·J·约翰逊 .

中国专利 :CN1739185A ,2006-02-22

[9]

用于微机电系统生产的蚀刻工艺 [P].

颜小明 ;

足·霍 ;

戴维·希尔德 ;

叶夫根尼·古塞夫 ;

本杰明·W·赫茨勒 ;

菲利普·弗洛耶 ;

佐川照夫 ;

安娜·隆代甘 ;

约恩·比塔 ;

托德·齐翁 .

中国专利 :CN101802985A ,2010-08-11

[10]

执行湿蚀刻工艺的系统和方法 [P].

L·莫尔 ;

J·塔代伊 ;

J·克拉克 ;

E·劳伦斯 ;

E·K·茨维恩曼 ;

D·A·戈登伯格 ;

J·尤科维茨 .

中国专利 :CN107258011A ,2017-10-17

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