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氮化物蚀刻剂组合物和方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202180050131.9
申请日：
2021-08-13
公开(公告)号：
CN116096837B
公开(公告)日：
2025-05-13
发明(设计)人：
E·洪 洪性辰 金元来 梁正烈 蔡升贤 余珠姬
申请人：
恩特格里斯公司
申请人地址：
美国马萨诸塞州
IPC主分类号：
C09K13/08
IPC分类号：
H01L21/311 H01L21/02 H01L21/306
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
李婷
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-13 授权 授权
共 50 条
[1]
蚀刻剂组合物和方法 [P]. 
梁正烈 ;
洪亨杓 ;
余珠姬 ;
洪性辰 ;
金元来 .
美国专利 :CN119256120A ,2025-01-03
[2]
选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法 [P]. 
陈天牛 ;
尼科勒·E·托马斯 ;
斯蒂芬·里皮 ;
杰弗里·A·巴内斯 ;
埃马纽尔·I·库珀 ;
张鹏 .
中国专利 :CN105304485A ,2016-02-03
[3]
选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法 [P]. 
陈天牛 ;
尼科勒·E·托马斯 ;
斯蒂芬·里皮 ;
杰弗里·A·巴内斯 ;
埃马纽尔·I·库珀 ;
张鹏 .
中国专利 :CN103154321A ,2013-06-12
[4]
金属氮化物膜蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法 [P]. 
朴贤雨 ;
南硕泫 ;
李明镐 ;
宋明根 .
中国专利 :CN115433581A ,2022-12-06
[5]
蚀刻剂组合物和方法 [P]. 
R·J·杜兰特 ;
李承璡 ;
T·P·塔法诺 ;
朴英哲 ;
李俊雨 ;
李承傭 ;
李鉉奎 ;
李喻珍 ;
S·H·张 .
中国专利 :CN102395708A ,2012-03-28
[6]
形成氧氮化物膜和氮化物膜的方法和装置、氧氮化物膜、氮化物膜和基材 [P]. 
藤村纪文 ;
早川竜马 ;
北畠裕也 ;
上原刚 ;
屋良卓也 .
中国专利 :CN1938835A ,2007-03-28
[7]
硅碳氮化物抛光组合物和方法 [P]. 
L-T·卢 ;
B·赖斯 ;
R·A·伊万诺夫 .
美国专利 :CN117529534A ,2024-02-06
[8]
用于超高选择性的氮化物蚀刻的系统和方法 [P]. 
杨邓良 ;
费萨尔·雅各布 ;
皮利翁·帕克 ;
海伦·H·朱 ;
朴俊洪 .
中国专利 :CN106601612A ,2017-04-26
[9]
选择性氮化物蚀刻 [P]. 
伊凡·L·贝瑞三世 ;
伊夫兰·安格洛夫 ;
琳达·马克斯 ;
费萨尔·雅各布 ;
皮利翁·帕克 ;
海伦·H·朱 ;
贝尤·阿特马加·西德乔伊斯沃罗 ;
李昭 .
中国专利 :CN105719949A ,2016-06-29
[10]
氮化物热原子层蚀刻 [P]. 
亚伦·林恩·罗赞 ;
索斯藤·贝恩德·莱尔 ;
安德烈亚斯·菲舍尔 .
美国专利 :CN119816927A ,2025-04-11
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