多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法及氮化硅涂层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110455432.8

申请日：

2011-12-30

公开(公告)号：

CN103506263A

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

高世超陈立新冯文宏张运峰王丙宽

申请人：

申请人地址：

071051 河北省保定市朝阳北大街3399号

IPC主分类号：

B05D500

IPC分类号：

B05D508 B05D102 B05D300 C01B3314 C30B2806 C30B2906

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

逯长明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-29	授权	授权
2014-01-15	公开	公开
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571923107 IPC(主分类):B05D 5/00 专利申请号:2011104554328 申请日:20111230

共 50 条

[1]

一种多晶硅铸锭氮化硅涂层坩埚及涂层制备方法 [P].

蒋兴贤 .

中国专利 :CN104911703A ,2015-09-16

[2]

一种多晶硅铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂工艺及装置 [P].

钟铮 .

中国专利 :CN104926149A ,2015-09-23

[3]

一种铸造多晶硅免喷坩埚氮化硅涂层及其制备方法 [P].

杜宁 ;

季勇升 ;

杨德仁 ;

张亚光 ;

杜英 ;

陆介平 .

中国专利 :CN108069731A ,2018-05-25

[4]

一种多晶硅铸锭用氮化硅涂层的制备方法 [P].

张嵘 ;

刘久明 .

中国专利 :CN106400109A ,2017-02-15

[5]

一种多晶硅铸锭用坩埚的氮化硅涂层及其制备方法 [P].

李健 ;

李聪 ;

谢炎 ;

高源 .

中国专利 :CN109020626B ,2018-12-18

[6]

多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法 [P].

任向东 ;

鲍家兴 ;

左云翔 .

中国专利 :CN101428273B ,2009-05-13

[7]

多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法 [P].

熊涛涛 ;

马良 ;

印亚峰 ;

刘瑞柱 ;

王俊涛 .

中国专利 :CN102367572B ,2012-03-07

[8]

一种多晶硅铸锭用硅夹层氮化硅涂层的制备方法 [P].

张嵘 ;

刘久明 ;

颜记朋 .

中国专利 :CN105862123A ,2016-08-17

[9]

一种用于多晶硅铸锭坩埚的氮化硅喷涂溶液的制备方法 [P].

吕东 ;

胡动力 ;

董一迪 ;

刘海 .

中国专利 :CN102503545A ,2012-06-20

[10]

一种改善多晶硅铸锭晶花的氮化硅免喷涂涂层及其制作方法 [P].

张福军 ;

杨艳红 ;

孔令奇 ;

邵雨月 .

中国专利 :CN108560046A ,2018-09-21

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