碳化硅半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380055165.2

申请日：

2013-10-08

公开(公告)号：

CN112368809A

公开(公告)日：

2021-02-12

发明(设计)人：

日吉透斋藤雄

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21316 H01L21768 H01L2906 H01L2912 H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20131008
2021-02-12	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

日吉透 ;

斋藤雄 .

中国专利 :CN104737292A ,2015-06-24

[2]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

增田健良 .

中国专利 :CN103548144A ,2014-01-29

[3]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

堀井拓 ;

木岛正贵 .

中国专利 :CN105074886B ,2015-11-18

[4]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

久保田良辅 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

增田健良 ;

滨岛大辅 ;

田中聪 ;

木村真二 ;

小林正幸 .

中国专利 :CN105706221B ,2016-06-22

[5]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

日本专利 :CN111788661B ,2024-03-22

[6]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

中国专利 :CN111788661A ,2020-10-16

[7]

碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法 [P].

田中聪 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

松岛彰 ;

久保田良辅 ;

冲田恭子 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN105164322A ,2015-12-16

[8]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN103548143A ,2014-01-29

[9]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

内田光亮 ;

增田健良 ;

斋藤雄 .

中国专利 :CN105074933B ,2015-11-18

[10]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

久保田良辅 ;

日吉透 ;

木村炼 .

中国专利 :CN104520999A ,2015-04-15

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