改善晶背粗糙度和污染的方法

被引：0

申请号：

CN202210745995.9

申请日：

2022-06-28

公开(公告)号：

CN115101411A

公开(公告)日：

2022-09-23

发明(设计)人：

曾裕廉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L21318

IPC分类号：

H01L213105 H01L21304 H01L21322 H01L21321

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	公开	公开

共 50 条

[1]

改善沟槽侧壁粗糙度的方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119581323A ,2025-03-07

[2]

改善晶片的表面粗糙度的工艺 [P].

E·内雷 ;

E·阿雷纳 ;

L·埃卡尔诺 .

中国专利 :CN1879204B ,2006-12-13

[3]

一种改善晶圆粗糙度的方法 [P].

代迎伟 ;

金一诺 ;

王坚 ;

王晖 .

中国专利 :CN106567130A ,2017-04-19

[4]

改善钢管表面粗糙度的方法 [P].

曹献龙 ;

王焕新 ;

王世杰 .

中国专利 :CN111500963A ,2020-08-07

[5]

改善光刻线条粗糙度的方法 [P].

王岳 ;

孙珊珊 ;

周红宇 ;

李海涛 .

中国专利 :CN120540010A ,2025-08-26

[6]

空气主轴的粗糙度改善方法 [P].

邓三军 .

中国专利 :CN118360565A ,2024-07-19

[7]

降低表面粗糙度的方法 [P].

E·布雷 ;

L·埃尔卡诺 .

中国专利 :CN1524289A ,2004-08-25

[8]

改善光刻胶表面粗糙度的方法 [P].

成智国 ;

耿文练 .

中国专利 :CN109062010A ,2018-12-21

[9]

改善半导体晶片的表面粗糙度的工艺 [P].

E·内雷 ;

C·马勒维尔 ;

L·埃卡尔诺 .

中国专利 :CN1879205B ,2006-12-13

[10]

改善浅沟槽隔离侧壁粗糙度的方法 [P].

张振兴 ;

奚裴 .

中国专利 :CN102148184A ,2011-08-10

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