一种提高靶材利用率的靶材结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320216714.7

申请日：

2013-04-25

公开(公告)号：

CN203546138U

公开(公告)日：

2014-04-16

发明(设计)人：

丁杰陈云飞

申请人：

申请人地址：

201814 上海市嘉定区安亭镇园福路588号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

蒋亮珠

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20130425 授权公告日:20140416 终止日期:20200425
2014-04-16	授权	授权

共 50 条

[1]

提高靶材利用率的磁性靶材 [P].

李原吉 ;

刘品均 ;

杨峻杰 ;

陈松醮 ;

蔡明展 ;

林子平 .

中国专利 :CN110408900B ,2019-11-05

[2]

一种可提高靶材利用率的靶座 [P].

刘林 ;

檀玉珩 .

中国专利 :CN204550699U ,2015-08-12

[3]

一种可提高靶材利用率的靶座 [P].

孙伟华 .

中国专利 :CN208395259U ,2019-01-18

[4]

一种可提高靶材利用率的平面靶 [P].

胥小勇 ;

颜建师 ;

涂培堤 .

中国专利 :CN213013073U ,2021-04-20

[5]

具有较高靶材利用率的靶材组件 [P].

胡业新 ;

高毓康 .

中国专利 :CN214736055U ,2021-11-16

[6]

一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材 [P].

周航锋 ;

贺伟 ;

侍进山 ;

徐博文 ;

李景 ;

李信 ;

陈武 ;

万禄兵 .

中国专利 :CN203947153U ,2014-11-19

[7]

一种可提高靶材利用率的平面靶 [P].

郭喜明 ;

张浩 ;

王英智 ;

王开亮 .

中国专利 :CN208501089U ,2019-02-15

[8]

提高镀膜靶材利用率的方法 [P].

徐旻生 ;

庄炳河 ;

张永胜 ;

满小花 ;

曹志刚 ;

吴远法 ;

张雨龙 .

中国专利 :CN106244990A ,2016-12-21

[9]

一种提高靶材利用率的方法 [P].

张依腾 ;

郑风云 ;

杨文胜 ;

何海山 ;

李伟界 .

中国专利 :CN115558898A ,2023-01-03

[10]

一种提高靶材利用率的方法 [P].

张依腾 ;

郑风云 ;

杨文胜 ;

何海山 ;

李伟界 .

中国专利 :CN115558898B ,2024-09-13

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