一种可提高靶材利用率的平面靶

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021690558.4

申请日：

2020-08-14

公开(公告)号：

CN213013073U

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

胥小勇颜建师涂培堤

申请人：

申请人地址：

365000 福建省三明市大田县石牌镇上坡村301号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616

代理人：

邓凌云

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种可提高靶材利用率的平面靶 [P].

郭喜明 ;

张浩 ;

王英智 ;

王开亮 .

中国专利 :CN208501089U ,2019-02-15

[2]

一种可提高靶材利用率的靶座 [P].

刘林 ;

檀玉珩 .

中国专利 :CN204550699U ,2015-08-12

[3]

一种可提高靶材利用率的靶座 [P].

孙伟华 .

中国专利 :CN208395259U ,2019-01-18

[4]

一种提高靶材利用率的靶材结构 [P].

丁杰 ;

陈云飞 .

中国专利 :CN203546138U ,2014-04-16

[5]

提高靶材利用率的磁性靶材 [P].

李原吉 ;

刘品均 ;

杨峻杰 ;

陈松醮 ;

蔡明展 ;

林子平 .

中国专利 :CN110408900B ,2019-11-05

[6]

提高平面靶材利用率的背板组件 [P].

连重炎 ;

刘林 ;

卢海江 ;

黄显艺 ;

任晓东 .

中国专利 :CN215856302U ,2022-02-18

[7]

一种提高靶材利用率的新型平面阴极 [P].

张俊峰 ;

魏庆瑄 ;

赵子东 ;

张富 ;

李中云 ;

张大剑 .

中国专利 :CN206308414U ,2017-07-07

[8]

一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材 [P].

周航锋 ;

贺伟 ;

侍进山 ;

徐博文 ;

李景 ;

李信 ;

陈武 ;

万禄兵 .

中国专利 :CN203947153U ,2014-11-19

[9]

具有较高靶材利用率的靶材组件 [P].

胡业新 ;

高毓康 .

中国专利 :CN214736055U ,2021-11-16

[10]

一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P].

陈理 ;

李国强 .

中国专利 :CN201301340Y ,2009-09-02

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