一种可提高靶材利用率的靶座

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专利类型
实用新型
申请号
CN201520217063.2
申请日
2015-04-13
公开(公告)号
CN204550699U
公开(公告)日
2015-08-12
发明(设计)人
刘林 檀玉珩
申请人
申请人地址
251200 山东省德州市禹城市高新区振兴大道汉能光伏产业园
IPC主分类号
C23C1434
IPC分类号
代理机构
济南泉城专利商标事务所 37218
代理人
郭禾苗
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种可提高靶材利用率的靶座 [P]. 
孙伟华 .
中国专利 :CN208395259U ,2019-01-18
[2]
一种可提高靶材利用率的平面靶 [P]. 
胥小勇 ;
颜建师 ;
涂培堤 .
中国专利 :CN213013073U ,2021-04-20
[3]
一种提高靶材利用率的靶材结构 [P]. 
丁杰 ;
陈云飞 .
中国专利 :CN203546138U ,2014-04-16
[4]
提高靶材利用率的磁性靶材 [P]. 
李原吉 ;
刘品均 ;
杨峻杰 ;
陈松醮 ;
蔡明展 ;
林子平 .
中国专利 :CN110408900B ,2019-11-05
[5]
一种可提高靶材利用率的平面靶 [P]. 
郭喜明 ;
张浩 ;
王英智 ;
王开亮 .
中国专利 :CN208501089U ,2019-02-15
[6]
一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材 [P]. 
周航锋 ;
贺伟 ;
侍进山 ;
徐博文 ;
李景 ;
李信 ;
陈武 ;
万禄兵 .
中国专利 :CN203947153U ,2014-11-19
[7]
具有较高靶材利用率的靶材组件 [P]. 
胡业新 ;
高毓康 .
中国专利 :CN214736055U ,2021-11-16
[8]
提高镀膜靶材利用率的方法 [P]. 
徐旻生 ;
庄炳河 ;
张永胜 ;
满小花 ;
曹志刚 ;
吴远法 ;
张雨龙 .
中国专利 :CN106244990A ,2016-12-21
[9]
一种提高靶材利用率的方法 [P]. 
张依腾 ;
郑风云 ;
杨文胜 ;
何海山 ;
李伟界 .
中国专利 :CN115558898A ,2023-01-03
[10]
一种提高靶材利用率的方法 [P]. 
张依腾 ;
郑风云 ;
杨文胜 ;
何海山 ;
李伟界 .
中国专利 :CN115558898B ,2024-09-13