一种可提高靶材利用率的靶座

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201520217063.2
申请日
2015-04-13
公开(公告)号
CN204550699U
公开(公告)日
2015-08-12
发明(设计)人
刘林 檀玉珩
申请人
申请人地址
251200 山东省德州市禹城市高新区振兴大道汉能光伏产业园
IPC主分类号
C23C1434
IPC分类号
代理机构
济南泉城专利商标事务所 37218
代理人
郭禾苗
法律状态
授权
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[21]
一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P]. 
陈理 ;
李国强 .
中国专利 :CN201301340Y ,2009-09-02
[22]
一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P]. 
陈理 ;
李国强 .
中国专利 :CN101418433A ,2009-04-29
[23]
一种提高靶材利用率的多弧镀膜源装置 [P]. 
张心凤 ;
陆宗健 ;
刘洋 ;
陈玉梅 ;
董中林 .
中国专利 :CN223373205U ,2025-09-23
[24]
一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置 [P]. 
夏正卫 ;
张心凤 ;
范宏跃 .
中国专利 :CN215713336U ,2022-02-01
[25]
提高靶材利用率的水冷式电弧蒸发组件 [P]. 
徐树深 ;
梅丽文 ;
张韬 .
中国专利 :CN202717837U ,2013-02-06
[26]
一种提升靶材利用率的方法 [P]. 
陈加柱 ;
龚文广 ;
罗勇 ;
杨红军 ;
陈明辉 ;
张世洪 .
中国专利 :CN113774338A ,2021-12-10
[27]
一种高利用率的旋转靶材 [P]. 
巩利民 ;
巩闻博 ;
谷雨 ;
李伟玲 .
中国专利 :CN118516651A ,2024-08-20
[28]
一种提升靶材利用率的导磁板 [P]. 
林嘉佑 .
中国专利 :CN213086093U ,2021-04-30
[29]
一种提高真空电弧镀圆形平面靶材利用率的装置 [P]. 
胡征宇 ;
李震林 ;
侯章辉 ;
谢国亮 .
中国专利 :CN205011829U ,2016-02-03
[30]
一种高场强高靶材利用率的阴极 [P]. 
张奇龙 ;
李伟 .
中国专利 :CN209974873U ,2020-01-21