一种可提高靶材利用率的靶座

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520217063.2

申请日：

2015-04-13

公开(公告)号：

CN204550699U

公开(公告)日：

2015-08-12

发明(设计)人：

刘林檀玉珩

申请人：

申请人地址：

251200 山东省德州市禹城市高新区振兴大道汉能光伏产业园

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

代理机构：

济南泉城专利商标事务所 37218

代理人：

郭禾苗

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-12	授权	授权
2019-03-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 14/34 登记生效日:20190311 变更事项:专利权人变更前权利人:汉能光伏科技有限公司变更后权利人:汉能移动能源控股集团有限公司变更事项:地址变更前权利人:100107 北京市朝阳区奥运村街道办公区2号楼103室变更后权利人:100107 北京市朝阳区奥运村街道综合办公区2号楼107室
2019-03-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 14/34 登记生效日:20190212 变更事项:专利权人变更前权利人:山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司变更后权利人:汉能光伏科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:251200 山东省德州市禹城市高新区振兴大道汉能光伏产业园变更后权利人:100107 北京市朝阳区奥运村街道办公区2号楼103室

共 50 条

[41]

一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极 [P].

张奇龙 ;

李伟 .

中国专利 :CN206736351U ,2017-12-12

[42]

一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极 [P].

王志刚 ;

张奇龙 ;

王连之 ;

李伟 .

中国专利 :CN209974874U ,2020-01-21

[43]

一种高靶材利用率的强磁溅射阴极 [P].

齐卫冲 .

中国专利 :CN222593994U ,2025-03-11

[44]

一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法 [P].

彭寿 ;

葛承全 ;

张超群 ;

井治 ;

张仰平 ;

李险峰 .

中国专利 :CN103820759A ,2014-05-28

[45]

一种高场强高靶材利用率的阴极 [P].

张奇龙 ;

李伟 .

中国专利 :CN109735821A ,2019-05-10

[46]

一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备 [P].

张永胜 ;

解传佳 ;

武瑞军 ;

莫超超 ;

杨肸曦 ;

彭孝龙 ;

周振国 .

中国专利 :CN114774877A ,2022-07-22

[47]

一种提高磁控溅射平面靶材利用率的方法及装置 [P].

张宁 ;

余新平 ;

张森 ;

卓胜 ;

张至树 .

中国专利 :CN104498886A ,2015-04-08

[48]

用于提升靶材利用率的导磁板 [P].

林嘉佑 .

中国专利 :CN111349903A ,2020-06-30

[49]

一种高靶材利用率的平面磁控溅射阴极装置 [P].

匡国庆 .

中国专利 :CN216074016U ,2022-03-18

[50]

一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的装置及方法 [P].

潘宏胜 ;

梅艳慧 ;

张盼 ;

江湖 ;

叶显飞 ;

鲁启昌 ;

陈里险 .

中国专利 :CN120026291A ,2025-05-23

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