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一种可提高靶材利用率的平面靶
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201821119039.5
申请日
:
2018-07-16
公开(公告)号
:
CN208501089U
公开(公告)日
:
2019-02-15
发明(设计)人
:
郭喜明
张浩
王英智
王开亮
申请人
:
申请人地址
:
110135 辽宁省沈阳市沈北新区七星大街63-71号楼102室
IPC主分类号
:
C23C1435
IPC分类号
:
代理机构
:
沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107
代理人
:
王荣亮
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-02-15
授权
授权
共 50 条
[1]
一种可提高靶材利用率的平面靶
[P].
胥小勇
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胥小勇
;
颜建师
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颜建师
;
涂培堤
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涂培堤
.
中国专利
:CN213013073U
,2021-04-20
[2]
提高靶材利用率的磁性靶材
[P].
李原吉
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李原吉
;
刘品均
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刘品均
;
杨峻杰
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杨峻杰
;
陈松醮
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陈松醮
;
蔡明展
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蔡明展
;
林子平
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林子平
.
中国专利
:CN110408900B
,2019-11-05
[3]
一种可提高靶材利用率的靶座
[P].
刘林
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刘林
;
檀玉珩
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檀玉珩
.
中国专利
:CN204550699U
,2015-08-12
[4]
一种可提高靶材利用率的靶座
[P].
孙伟华
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孙伟华
.
中国专利
:CN208395259U
,2019-01-18
[5]
一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材
[P].
周航锋
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周航锋
;
贺伟
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贺伟
;
侍进山
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侍进山
;
徐博文
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徐博文
;
李景
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李景
;
李信
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李信
;
陈武
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陈武
;
万禄兵
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万禄兵
.
中国专利
:CN203947153U
,2014-11-19
[6]
一种提高靶材利用率的靶材结构
[P].
丁杰
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丁杰
;
陈云飞
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陈云飞
.
中国专利
:CN203546138U
,2014-04-16
[7]
一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极
[P].
陈理
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陈理
;
李国强
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李国强
.
中国专利
:CN201301340Y
,2009-09-02
[8]
一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极
[P].
陈理
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陈理
;
李国强
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李国强
.
中国专利
:CN101418433A
,2009-04-29
[9]
提高平面靶材利用率的背板组件
[P].
连重炎
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连重炎
;
刘林
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刘林
;
卢海江
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卢海江
;
黄显艺
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黄显艺
;
任晓东
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任晓东
.
中国专利
:CN215856302U
,2022-02-18
[10]
一种提高靶材利用率的新型平面阴极
[P].
张俊峰
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张俊峰
;
魏庆瑄
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魏庆瑄
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赵子东
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赵子东
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张富
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张富
;
李中云
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李中云
;
张大剑
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张大剑
.
中国专利
:CN206308414U
,2017-07-07
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