提高平面靶材利用率的背板组件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120164970.0

申请日：

2021-01-21

公开(公告)号：

CN215856302U

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

连重炎刘林卢海江黄显艺任晓东

申请人：

申请人地址：

242000 安徽省宣城市经济技术开发区清流路99号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

合肥东信智谷知识产权代理事务所(普通合伙) 34143

代理人：

王燕

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种可提高靶材利用率的平面靶 [P].

胥小勇 ;

颜建师 ;

涂培堤 .

中国专利 :CN213013073U ,2021-04-20

[2]

提高靶材利用率的磁性靶材 [P].

李原吉 ;

刘品均 ;

杨峻杰 ;

陈松醮 ;

蔡明展 ;

林子平 .

中国专利 :CN110408900B ,2019-11-05

[3]

具有较高靶材利用率的靶材组件 [P].

胡业新 ;

高毓康 .

中国专利 :CN214736055U ,2021-11-16

[4]

磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法 [P].

田小智 ;

姜翠宁 ;

黄启耀 .

中国专利 :CN101586228A ,2009-11-25

[5]

一种可提高靶材利用率的平面靶 [P].

郭喜明 ;

张浩 ;

王英智 ;

王开亮 .

中国专利 :CN208501089U ,2019-02-15

[6]

一种提高靶材利用率的新型平面阴极 [P].

张俊峰 ;

魏庆瑄 ;

赵子东 ;

张富 ;

李中云 ;

张大剑 .

中国专利 :CN206308414U ,2017-07-07

[7]

一种提高靶材利用率的靶材结构 [P].

丁杰 ;

陈云飞 .

中国专利 :CN203546138U ,2014-04-16

[8]

提高镀膜靶材利用率的方法 [P].

徐旻生 ;

庄炳河 ;

张永胜 ;

满小花 ;

曹志刚 ;

吴远法 ;

张雨龙 .

中国专利 :CN106244990A ,2016-12-21

[9]

提高靶材利用率的水冷式电弧蒸发组件 [P].

徐树深 ;

梅丽文 ;

张韬 .

中国专利 :CN202717837U ,2013-02-06

[10]

提高靶材利用率及涂层质量的装置 [P].

傅铭桓 .

中国专利 :CN207845765U ,2018-09-11

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