碳化硅原料加工方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911358286.X

申请日：

2019-12-25

公开(公告)号：

CN110983446A

公开(公告)日：

2020-04-10

发明(设计)人：

王增泽

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

C30B3500

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;张天舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 35/00 申请日:20191225
2020-04-10	公开	公开

共 50 条

[1]

制造碳化硅原料的方法 [P].

蔡文贵 .

中国专利 :CN102211768A ,2011-10-12

[2]

碳化硅原料合成炉 [P].

张军彦 ;

周社柱 ;

冯光志 ;

张慧勇 ;

李清冰 .

中国专利 :CN121025790A ,2025-11-28

[3]

碳化硅制备方法 [P].

王书杰 ;

孟静 .

中国专利 :CN110016713A ,2019-07-16

[4]

一种碳化硅原料加工用粉碎装置 [P].

朱述理 ;

王中连 ;

高祥恩 ;

高祥军 ;

宋园园 ;

肖霄 .

中国专利 :CN220969309U ,2024-05-17

[5]

碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法 [P].

陈建军 ;

王辉 ;

孔海宽 ;

忻隽 ;

刘熙 ;

肖兵 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103193232A ,2013-07-10

[6]

单晶碳化硅长晶原料、单晶碳化硅长晶方法及单晶碳化硅 [P].

余剑云 ;

黄秀松 ;

史悦 ;

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN117305986B ,2024-03-29

[7]

碳化硅晶体加工设备 [P].

杨双泽 ;

林育仪 ;

连旗锋 ;

聂兴 .

中国专利 :CN118456682A ,2024-08-09

[8]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

[9]

高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法 [P].

彭同华 ;

王波 ;

赵宁 ;

娄艳芳 ;

郭钰 ;

张贺 ;

刘春俊 ;

杨建 .

中国专利 :CN113186601B ,2021-07-30

[10]

碳化硅制备装置 [P].

王书杰 ;

孟静 .

中国专利 :CN110029393A ,2019-07-19

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