一种III族氮化物衬底的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710030646.8
申请日
2017-01-17
公开(公告)号
CN106835268A
公开(公告)日
2017-06-13
发明(设计)人
王峰
申请人
申请人地址
215221 江苏省苏州市吴江区平望镇西塘街黄洋墩6幢101-1室
IPC主分类号
C30B2518
IPC分类号
C30B2902 C30B2938 C30B2940 H01L2102
代理机构
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人
范晴;丁浩秋
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
III族氮化物衬底 [P]. 
王明月 ;
王建峰 ;
徐科 .
中国专利 :CN204905260U ,2015-12-23
[2]
III族氮化物衬底及其制备方法 [P]. 
王明月 ;
王建峰 ;
徐科 ;
陈吉湖 .
中国专利 :CN106711023A ,2017-05-24
[3]
第III族氮化物衬底的制造方法及第 III 族氮化物衬底 [P]. 
北村寿朗 ;
柴田真佐知 ;
吉田丈洋 .
中国专利 :CN107978509A ,2018-05-01
[4]
III族氮化物衬底以及制备工艺 [P]. 
王明月 ;
王建峰 ;
徐科 .
中国专利 :CN105097893A ,2015-11-25
[5]
III族氮化物衬底及其制备方法 [P]. 
王建峰 ;
徐科 ;
张育民 ;
王明月 ;
任国强 ;
徐俞 .
中国专利 :CN106783579A ,2017-05-31
[6]
III族氮化物复合衬底 [P]. 
佐藤一成 ;
吉田浩章 ;
山本喜之 ;
八乡昭广 ;
松原秀树 .
中国专利 :CN102906857A ,2013-01-30
[7]
III族氮化物复合衬底及其制造方法、层叠的III族氮化物复合衬底、III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P]. 
木山诚 ;
石桥惠二 ;
八乡昭广 ;
松本直树 ;
中西文毅 .
中国专利 :CN104781907B ,2015-07-15
[8]
III族氮化物复合衬底及其制造方法,层叠的III族氮化物复合衬底,以及III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P]. 
石桥惠二 ;
柳泽拓弥 ;
上松康二 ;
关裕纪 ;
山本喜之 .
中国专利 :CN104995713A ,2015-10-21
[9]
III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P]. 
森勇介 ;
吉村政志 ;
今西正幸 ;
北本启 ;
隅智亮 ;
泷野淳一 ;
冈山芳央 .
中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17
[10]
III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P]. 
森勇介 ;
吉村政志 ;
今西正幸 ;
北本启 ;
隅智亮 ;
泷野淳一 ;
冈山芳央 .
中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17