砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111205743.9

申请日：

2021-10-15

公开(公告)号：

CN113945442B

公开(公告)日：

2022-01-18

发明(设计)人：

王仁洲郑朝晖

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区祖冲之路1505弄55号

IPC主分类号：

G01N132

IPC分类号：

G01N2195

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

刘建荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 1/32 申请日:20211015
2022-05-20	授权	授权
2022-01-18	公开	公开
2022-07-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01N 1/32 变更事项:专利权人变更前:上海季丰电子股份有限公司变更后:上海季丰电子股份有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区祖冲之路1505弄55号变更后:201100 上海市闵行区友东路258-288号2幢101室

共 50 条

[1]

砷化镓芯片开封方法 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈鹏 ;

陈燕宁 ;

董广智 ;

钟明琛 ;

宋彦斌 ;

单书珊 ;

林国栋 ;

李智诚 .

中国专利 :CN114325303B ,2025-02-14

[2]

砷化镓芯片开封方法 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈鹏 ;

陈燕宁 ;

董广智 ;

钟明琛 ;

宋彦斌 ;

单书珊 ;

林国栋 ;

李智诚 .

中国专利 :CN114325303A ,2022-04-12

[3]

一种砷化镓芯片的封装结构 [P].

江树昌 ;

陈光明 ;

张健凌 ;

张绍甫 .

中国专利 :CN216958004U ,2022-07-12

[4]

砷化镓电池芯片结构 [P].

江树昌 ;

陈光明 ;

张健凌 ;

张绍甫 .

中国专利 :CN216531222U ,2022-05-13

[5]

一种去除砷化镓芯片封装的方法 [P].

尚跃 ;

陈建 ;

贾丽娟 .

中国专利 :CN114864437A ,2022-08-05

[6]

功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构 [P].

吕致纬 .

中国专利 :CN203013701U ,2013-06-19

[7]

砷化镓芯片的背面金属结构 [P].

周泽阳 ;

魏鸿基 ;

王江 ;

朱庆芳 ;

吴小琦 .

中国专利 :CN206546818U ,2017-10-10

[8]

砷化镓芯片去层方法 [P].

高峰 ;

高强 .

中国专利 :CN117747425A ,2024-03-22

[9]

光耦芯片砷化镓材质晶粒开盖方法 [P].

赖献滨 .

中国专利 :CN114914174A ,2022-08-16

[10]

一种砷化镓芯片安装测试结构和方法 [P].

余夕霞 .

中国专利 :CN117516707B ,2024-05-14

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