沟槽阵列的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010022587.8

申请日：

2010-01-08

公开(公告)号：

CN102122635A

公开(公告)日：

2011-07-13

发明(设计)人：

李凡

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L4500

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101100309998 IPC(主分类):H01L 21/82 专利申请号:2010100225878 申请日:20100108
2011-07-13	公开	公开
2012-12-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101480162383 IPC(主分类):H01L 21/82 专利申请号:2010100225878 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121102
2013-12-04	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽的形成方法 [P].

李凡 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102214567B ,2011-10-12

[2]

沟槽的形成方法 [P].

张海洋 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN103377991B ,2013-10-30

[3]

沟槽的形成方法 [P].

杨芸 ;

洪中山 .

中国专利 :CN101599419B ,2009-12-09

[4]

深沟槽的形成方法 [P].

肖培 .

中国专利 :CN102324387A ,2012-01-18

[5]

浅沟槽形成方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN101740373A ,2010-06-16

[6]

浅沟槽形成方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN101752286B ,2010-06-23

[7]

沟槽的形成方法 [P].

张海洋 ;

孙武 ;

尹晓明 .

中国专利 :CN102044482A ,2011-05-04

[8]

沟槽的形成方法 [P].

崔基雄 ;

高建峰 ;

孔真真 ;

刘卫兵 ;

王桂磊 .

中国专利 :CN115084002A ,2022-09-20

[9]

沟槽的形成方法 [P].

周鸣 ;

尹晓明 .

中国专利 :CN101587837A ,2009-11-25

[10]

沟槽的形成方法 [P].

张海洋 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN103515301B ,2014-01-15

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