氮化物半导体发光元件和其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880000776.6

申请日：

2008-04-17

公开(公告)号：

CN101548400A

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

秋田胜史京野孝史石桥惠二笠井仁

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003058146 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008800007766 申请日:20080417
2009-09-30	公开	公开
2018-05-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20080417 授权公告日:20111207 终止日期:20170417
2011-12-07	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体自支撑衬底和氮化物半导体发光元件 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN101090096A ,2007-12-19

[2]

氮化物半导体发光元件 [P].

小幡俊之 .

中国专利 :CN105009310A ,2015-10-28

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

京野孝史 ;

平山秀树 .

中国专利 :CN101009352A ,2007-08-01

[4]

氮化物半导体发光元件 [P].

近藤雅文 ;

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN102170090A ,2011-08-31

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

平野光 ;

长泽阳祐 .

中国专利 :CN111373552A ,2020-07-03

[6]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

希利尔·贝诺 ;

松仓勇介 ;

古泽优太 ;

和田贡 .

中国专利 :CN111052411A ,2020-04-21

[7]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

古泽优太 ;

和田贡 ;

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111066161A ,2020-04-24

[8]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

持田笃范 ;

长谷川义晃 .

中国专利 :CN101540475A ,2009-09-23

[9]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

松仓勇介 ;

稻津哲彦 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN113838956A ,2021-12-24

[10]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

古泽优太 ;

和田贡 ;

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111095579A ,2020-05-01

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