在晶圆上沉积薄膜的反应器

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专利类型
发明
申请号
CN200880100169.7
申请日
2008-07-23
公开(公告)号
CN101755073A
公开(公告)日
2010-06-23
发明(设计)人
韩昌熙 李昊荣 朴相俊 许真弼 安铁贤 李晶桓
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
C23C1600
IPC分类号
代理机构
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019
代理人
寿宁
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
在晶圆片上沉积薄膜的装置 [P]. 
林弘周 ;
李相奎 ;
徐泰旭 ;
张镐承 .
中国专利 :CN1769516A ,2006-05-10
[2]
薄膜沉积反应器 [P]. 
林辉巨 .
中国专利 :CN1600897A ,2005-03-30
[3]
在晶圆上沉积薄膜的装置与方法以及进行填隙沟渠的方法 [P]. 
朴相俊 ;
韩昌熙 ;
李昊荣 ;
郑成会 .
中国专利 :CN101809711A ,2010-08-18
[4]
用于在晶圆沉积薄膜的设备 [P]. 
陈泳 .
中国专利 :CN110246788A ,2019-09-17
[5]
一种用于在晶圆上沉积薄膜的设备 [P]. 
梁小明 .
中国专利 :CN112921283A ,2021-06-08
[6]
晶圆薄膜沉积装置 [P]. 
张艳喆 ;
刘健 ;
李培培 ;
戚艳丽 .
中国专利 :CN114318305A ,2022-04-12
[7]
用于外延反应器的上壳体、外延反应器及晶圆生产设备 [P]. 
李鹏 ;
陈晨 .
中国专利 :CN217266139U ,2022-08-23
[8]
一种在弯曲晶圆上沉积薄膜的方法及设备 [P]. 
孙冉 .
中国专利 :CN119663246A ,2025-03-21
[9]
用于在衬底上外延沉积半导体材料的反应器 [P]. 
M·G·梅斯奇亚 ;
D·克里帕 ;
S·R·M·普雷蒂 ;
F·科里亚 ;
S·波利 .
:CN119615357A ,2025-03-14
[10]
CVD反应器的晶圆固定机构 [P]. 
赖学明 .
中国专利 :CN218491841U ,2023-02-17