用于产生形貌图案化衬底的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610093759.4

申请日：

2006-06-19

公开(公告)号：

CN100585490C

公开(公告)日：

2006-12-20

发明(设计)人：

托马斯·R·阿尔布雷克特杨宏渊

申请人：

申请人地址：

荷兰阿姆斯特丹

IPC主分类号：

G03F700

IPC分类号：

G11B574

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701441896 IPC(主分类):G03F 7/00 专利号:ZL2006100937594 变更事项:专利权人变更前:日立环球储存科技荷兰有限公司变更后:HGST荷兰公司变更事项:地址变更前:荷兰阿姆斯特丹变更后:荷兰阿姆斯特丹
2006-12-20	公开	公开
2018-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/00 申请日:20060619 授权公告日:20100127 终止日期:20170619
2007-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-01-27	授权	授权

共 50 条

[1]

改善光阻曝光形貌的方法、图案化半导体衬底的方法 [P].

魏娟 ;

徐炯 ;

周维 ;

魏峥颖 .

中国专利 :CN103984212A ,2014-08-13

[2]

产生用于对衬底表面图案化的等离子体放电的设备和方法 [P].

保卢斯·佩特鲁斯·玛利亚·布洛姆 ;

阿尔昆·阿方斯·伊丽莎白·史蒂文斯 ;

劳伦西亚·约翰娜·回吉布雷格特斯 ;

雨果·安东·玛丽·德哈恩 ;

安东尼尔斯·休伯特斯·万斯基恩戴尔 ;

埃德温·特斯莱格特 ;

尼古拉斯·克尼里斯·约瑟夫斯·万海宁根 ;

汤姆·惠斯卡姆普 .

中国专利 :CN102823331A ,2012-12-12

[3]

纳米级图案化衬底的制备方法及纳米级图案化衬底 [P].

林源为 .

中国专利 :CN115347090B ,2025-03-14

[4]

纳米级图案化衬底的制备方法及纳米级图案化衬底 [P].

林源为 .

中国专利 :CN115347090A ,2022-11-15

[5]

用于在衬底表面上形成图案化特征的方法和系统 [P].

李承泫 ;

具盻炫 ;

金显哲 ;

井上尚树 .

中国专利 :CN114203547A ,2022-03-18

[6]

用于在表面上产生导电图案的方法和装置 [P].

派翠·瑟维奥 ;

尤哈·麦加拉 .

中国专利 :CN104206030B ,2014-12-10

[7]

在衬底上形成图案化层的方法 [P].

M·A·弗舒伦 ;

H·利夫卡 ;

C·塔纳塞 .

中国专利 :CN101730938A ,2010-06-09

[8]

用于处理衬底的装置和方法 [P].

金珉贞 ;

韩真儿 ;

金俙焕 ;

洪榕焄 ;

金京肃 ;

朴钟赫 ;

朴珍炯 ;

郑大赫 ;

车知勋 .

韩国专利 :CN118016561A ,2024-05-10

[9]

在衬底上印刷图案的方法和设备 [P].

M·佳利亚佐 ;

A·沃尔坦 ;

A·卡萨林 .

中国专利 :CN103660551A ,2014-03-26

[10]

在衬底上印刷图案的方法和设备 [P].

M·佳利亚佐 ;

A·沃尔坦 ;

A·卡萨林 .

中国专利 :CN106985515B ,2017-07-28

← 1 2 3 4 5 →