基于硅片刻穿的体硅加工工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410141817.0

申请日：

2014-04-09

公开(公告)号：

CN103896206A

公开(公告)日：

2014-07-02

发明(设计)人：

涂良成刘金全范继伍文杰罗俊

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

廖盈春

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-02	公开	公开
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584078250 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2014101418170 申请日:20140409
2015-12-02	授权	授权

共 50 条

[1]

微型皮拉尼计与体硅器件集成加工的方法 [P].

范继 ;

涂良成 ;

刘金全 ;

王超 .

中国专利 :CN104340955B ,2015-02-11

[2]

一种在背片上增加通气通道的体硅加工方法 [P].

赵井宇 ;

喻磊 ;

常赟 ;

郭立建 ;

曹卫达 .

中国专利 :CN117383507A ,2024-01-12

[3]

硅片刻蚀的方法 [P].

荣延栋 .

中国专利 :CN101197269A ,2008-06-11

[4]

半导体硅片刻蚀工艺的控制方法 [P].

陈卓 .

中国专利 :CN101207004A ,2008-06-25

[5]

硅片加工工艺 [P].

于帅帅 ;

董雪迪 ;

林佳继 ;

刘群 .

中国专利 :CN115663070A ,2023-01-31

[6]

一种基于体硅加工工艺的微型热电能量采集器的制备方法 [P].

徐德辉 ;

吴利青 ;

熊斌 .

中国专利 :CN105206737B ,2015-12-30

[7]

体硅微加工工艺的定位方法 [P].

荆二荣 .

中国专利 :CN105645347A ,2016-06-08

[8]

基于SOG圆片的深硅刻蚀方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

刘琛琛 .

中国专利 :CN108447785A ,2018-08-24

[9]

绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺 [P].

钱钦松 ;

朱奎英 ;

孙伟锋 ;

孙俊 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101834158A ,2010-09-15

[10]

一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺 [P].

张乐民 ;

刘福民 ;

张树伟 ;

崔尉 ;

梁德春 ;

杨静 ;

刘宇 .

中国专利 :CN112758888B ,2021-05-07

← 1 2 3 4 5 →