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光电子半导体器件和制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201880022493.5
申请日
:
2018-03-20
公开(公告)号
:
CN110476260A
公开(公告)日
:
2019-11-19
发明(设计)人
:
科比尼安·佩尔茨尔迈尔
克里斯蒂娜·拉斐尔
伊瓦尔·通林
申请人
:
申请人地址
:
德国雷根斯堡
IPC主分类号
:
H01L3354
IPC分类号
:
H01L3360
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
丁永凡;张春水
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-11-19
公开
公开
2019-12-13
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/54 申请日:20180320
共 50 条
[1]
光电子半导体器件、用于制造光电子半导体器件的方法以及具有光电子半导体器件的光源
[P].
诺温·文马尔姆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
诺温·文马尔姆
.
中国专利
:CN106415862B
,2017-02-15
[2]
光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法
[P].
彼得鲁斯·松德格伦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
彼得鲁斯·松德格伦
.
中国专利
:CN111328431A
,2020-06-23
[3]
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件
[P].
赖纳·温迪施
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
赖纳·温迪施
;
彼得·布里克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
彼得·布里克
.
德国专利
:CN120240012A
,2025-07-01
[4]
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件
[P].
卢茨·赫佩尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
卢茨·赫佩尔
.
中国专利
:CN105637636A
,2016-06-01
[5]
光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法
[P].
于尔根·奥弗
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
于尔根·奥弗
;
马里安·卡利布
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
马里安·卡利布
.
德国专利
:CN121080144A
,2025-12-05
[6]
光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法
[P].
赫尔穆特·菲舍尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赫尔穆特·菲舍尔
;
安德烈亚斯·普洛斯尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
安德烈亚斯·普洛斯尔
.
中国专利
:CN103392241A
,2013-11-13
[7]
光电子半导体器件和具有光电子半导体器件的设备
[P].
于尔根·莫斯布格尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
于尔根·莫斯布格尔
;
安德烈亚斯·普洛斯尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
安德烈亚斯·普洛斯尔
.
中国专利
:CN107112343A
,2017-08-29
[8]
光电子半导体器件和用于制造无机光电子半导体器件的方法
[P].
卢茨·赫佩尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
卢茨·赫佩尔
;
诺温·文马尔姆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
诺温·文马尔姆
.
中国专利
:CN102473810B
,2012-05-23
[9]
光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法
[P].
西格弗里德·赫尔曼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
西格弗里德·赫尔曼
.
中国专利
:CN107431118A
,2017-12-01
[10]
光电子半导体器件
[P].
J·奥尔松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J·奥尔松
;
L·萨米尔松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
L·萨米尔松
.
中国专利
:CN102099918A
,2011-06-15
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