半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380018493.5

申请日：

2013-04-01

公开(公告)号：

CN104205310A

公开(公告)日：

2014-12-10

发明(设计)人：

宫本忠芳伊东一笃宫本光伸高丸泰

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

G09F900 G09F930 H01L29786

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-01	授权	授权
2014-12-10	公开	公开
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594573382 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013800184935 申请日:20130401

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

内田诚一 ;

小川康行 ;

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

高丸泰 ;

中泽淳 ;

宫本光伸 .

中国专利 :CN104380474A ,2015-02-25

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

金子寿辉 ;

木村史哉 .

中国专利 :CN115377211A ,2022-11-22

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

内田诚一 .

中国专利 :CN105814481A ,2016-07-27

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

森重恭 ;

宫本光伸 ;

小川康行 ;

中泽淳 ;

松尾拓哉 ;

内田诚一 .

中国专利 :CN104094386B ,2014-10-08

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN105514124A ,2016-04-20

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

森重恭 ;

宫本光伸 ;

小川康行 ;

中泽淳 ;

内田诚一 ;

松尾拓哉 .

中国专利 :CN104081507A ,2014-10-01

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

浅见良信 .

中国专利 :CN112768511A ,2021-05-07

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

川岛慎吾 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

菊池哲郞 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004720A ,2017-08-01

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

北川英树 ;

大东彻 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

菊池哲郞 ;

川岛慎吾 ;

铃木正彦 .

中国专利 :CN107004719A ,2017-08-01

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

花田明纮 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

小野寺凉 .

日本专利 :CN120753017A ,2025-10-03

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