积体电路的双镶嵌结构的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN01144735.4
申请日
2001-12-24
公开(公告)号
CN1428839A
公开(公告)日
2003-07-09
发明(设计)人
李世达 徐震球
申请人
申请人地址
台湾省新竹科学园区
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L2128
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司
代理人
刘朝华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
积体电路的装配结构 [P]. 
童拱照 .
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双镶嵌结构的制作方法 [P]. 
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封装积体电路基板的制造方法 [P]. 
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有粘着剂的积体电路 [P]. 
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蔡孟儒 ;
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双镶嵌式开口结构的制作方法 [P]. 
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