双镶嵌结构的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN200610110722.8
申请日
2006-08-07
公开(公告)号
CN101123214A
公开(公告)日
2008-02-13
发明(设计)人
刘安淇
申请人
申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L21311
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
陶凤波
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
双镶嵌结构的制作方法 [P]. 
周鸣 ;
尹晓明 .
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[2]
双镶嵌结构的制作方法 [P]. 
梁昆约 ;
熊涛 ;
朱宝富 .
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[3]
双镶嵌结构及其制作方法 [P]. 
周鸣 ;
尹晓明 .
中国专利 :CN101625993B ,2010-01-13
[4]
双镶嵌结构及其制作方法 [P]. 
李文明 .
中国专利 :CN102044488A ,2011-05-04
[5]
双镶嵌式开口结构的制作方法 [P]. 
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[6]
一种制作双镶嵌结构的方法 [P]. 
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[7]
半导体器件、双镶嵌结构的制作方法 [P]. 
周鸣 ;
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[8]
积体电路的双镶嵌结构的制作方法 [P]. 
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[9]
制作铜双镶嵌结构的方法 [P]. 
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[10]
封装结构的制作方法 [P]. 
王宏杰 ;
孟怀宇 ;
沈亦晨 .
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