可改善雪崩能力的超结半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310491435.6

申请日：

2013-10-18

公开(公告)号：

CN103560086B

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

姜贯军陈桥梁陈仕全马治军杜忠鹏

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市凤城十二路1号出口加工区

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21266 H01L21331

代理机构：

西安新思维专利商标事务所有限公司 61114

代理人：

李罡

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 .

中国专利 :CN102646708B ,2012-08-22

[2]

超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件 [P].

赵勇 ;

廖巍 .

中国专利 :CN120897493A ,2025-11-04

[3]

超结半导体器件的制备方法 [P].

钟圣荣 ;

王荣华 .

中国专利 :CN108258045A ,2018-07-06

[4]

超结半导体器件的制备方法 [P].

赵勇 ;

廖巍 .

中国专利 :CN120417453A ,2025-08-01

[5]

制造超结半导体器件的方法 [P].

岛藤贵行 .

中国专利 :CN102254827A ,2011-11-23

[6]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 ;

北村睦美 .

中国专利 :CN103066125A ,2013-04-24

[7]

超结半导体器件 [P].

武井学 .

中国专利 :CN102439727B ,2012-05-02

[8]

改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片 [P].

原一帆 .

中国专利 :CN118866943A ,2024-10-29

[9]

改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片 [P].

原一帆 .

中国专利 :CN118866943B ,2024-12-06

[10]

增强反向雪崩能力的半导体器件及制备方法 [P].

吴迪 ;

游佩武 ;

张凡文 ;

王毅 .

中国专利 :CN115548099A ,2022-12-30

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	公开	公开
2020-04-21	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/336 变更事项:专利权人变更前:西安龙腾新能源科技发展有限公司变更后:龙腾半导体有限公司变更事项:地址变更前:710021 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区变更后:710021 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区变更事项:共同专利权人变更前:陕西龙飞新能源科技有限公司变更后:西安龙飞电气技术有限公司
2017-07-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754673973 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2013104914356 登记生效日:20170614 变更事项:专利权人变更前权利人:西安龙腾新能源科技发展有限公司变更后权利人:西安龙腾新能源科技发展有限公司变更事项:地址变更前权利人:710021 陕西省西安市凤城十二路1号出口加工区变更后权利人:710021 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:陕西龙飞新能源科技有限公司
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件序号:101576328552 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013104914356 申请日:20131018 号牌文件类型代码:1604
2020-04-21	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/336 变更事项:专利权人变更前:龙腾半导体有限公司变更后:龙腾半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:710021 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区变更后:710021 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区变更事项:共同专利权人变更前:西安龙飞电气技术有限公司变更后:西安龙飞电气技术有限公司
2016-08-31	授权	授权