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半导体制冷片
被引：0
专利类型：
外观设计
申请号：
CN202130238123.X
申请日：
2021-04-23
公开(公告)号：
CN306910295S
公开(公告)日：
2021-10-29
发明(设计)人：
王小伍
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区市花路南侧长富金茂大厦2号楼910
IPC主分类号：
2803
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-10-29 | 授权 | 授权 |