单晶硅锭及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96102527.1

申请日：

1996-02-26

公开(公告)号：

CN1047413C

公开(公告)日：

1996-11-27

发明(设计)人：

松原顺一三宅雄治金刚寺博

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

段承恩

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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共 50 条

[21]

单晶硅制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

德江润也 ;

星亮二 ;

布施川泉 .

中国专利 :CN105247115B ,2016-01-13

[22]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[23]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[24]

单晶硅制造方法 [P].

田边一美 ;

横山隆 ;

金大基 .

中国专利 :CN105683424A ,2016-06-15

[25]

用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法、单晶硅锭及其铸造方法 [P].

雷琦 ;

何亮 ;

李建敏 ;

程小娟 ;

邹贵付 ;

甘胜泉 ;

陈仙辉 .

中国专利 :CN113564695A ,2021-10-29

[26]

铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法 [P].

周声浪 ;

张华利 ;

胡动力 ;

原帅 ;

游达 ;

周洁 .

中国专利 :CN111876821A ,2020-11-03

[27]

拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片 [P].

张婉婉 ;

文英熙 ;

柳清超 .

中国专利 :CN110129884A ,2019-08-16

[28]

制造单晶硅 [P].

埃里克·绍尔 ;

奥列格·费费洛夫 ;

卡内尔·洛德 .

中国专利 :CN104246022A ,2014-12-24

[29]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[30]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-12-15	授权	授权
2011-12-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101230304753 IPC(主分类):C30B 15/20 专利号:ZL961025271 变更事项:专利权人变更前权利人:胜高股份有限公司变更后权利人:胜高股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京变更事项:共同专利权人变更前权利人:三菱麻铁里亚尔株式会社变更后权利人:无登记生效日:20111027
1996-11-27	公开	公开
2003-12-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社变更后:三菱住友硅晶株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社
1996-10-30	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1996-12-25	著录项目变更	著录项目变更变更事项:共同申请人变更前:三菱材料株式会社变更后:三菱麻铁里亚尔株式会社变更事项:申请人变更前:三菱硅材料株式会社变更后:三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社
2016-03-23	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101652156949 IPC(主分类):C30B 15/20 专利号:ZL961025271 申请日:19960226 授权公告日:19991215 终止日期:无
2011-12-07	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101230304752 IPC(主分类):C30B 15/20 专利号:ZL961025271 变更事项:专利权人变更前:三菱住友硅晶株式会社变更后:胜高股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京变更事项:共同专利权人变更前:三菱麻铁里亚尔株式会社变更后:三菱麻铁里亚尔株式会社