单晶硅锭及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96102527.1

申请日：

1996-02-26

公开(公告)号：

CN1047413C

公开(公告)日：

1996-11-27

发明(设计)人：

松原顺一三宅雄治金刚寺博

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

段承恩

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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共 50 条

[41]

单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片 [P].

布施川泉 ;

大国祯之 ;

三田村伸晃 ;

太田友彦 ;

胜冈信生 .

中国专利 :CN1646736A ,2005-07-27

[42]

硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法、单晶硅锭的制造方法、单晶硅锭以及硅晶片 [P].

江里口和隆 ;

佐俣秀一 ;

佐佐木骏 .

中国专利 :CN109314068A ,2019-02-05

[43]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

末若良太 ;

田中英树 ;

金原崇浩 .

中国专利 :CN108350603A ,2018-07-31

[44]

单晶硅棒制造方法和单晶硅棒结构 [P].

鲜于文旭 ;

朴永洙 ;

赵世泳 ;

殷华湘 ;

林赫 .

中国专利 :CN101235541A ,2008-08-06

[45]

单晶硅的制造方法 [P].

林三照 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108779577A ,2018-11-09

[46]

单晶硅的制造方法 [P].

川添真一 ;

琴冈敏朗 ;

堤有二 .

中国专利 :CN114540938A ,2022-05-27

[47]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

斋藤康裕 ;

金原崇浩 ;

片野智一 ;

田边一美 ;

田中英树 .

中国专利 :CN107709634B ,2018-02-16

[48]

单晶硅的制造方法 [P].

川上泰史 ;

前川浩一 .

中国专利 :CN110914483B ,2020-03-24

[49]

单晶硅的制造方法 [P].

斋藤康裕 ;

最胜寺俊昭 ;

田边一美 .

中国专利 :CN109415843A ,2019-03-01

[50]

单晶硅的制造方法 [P].

前川浩一 ;

鸣嶋康人 ;

川上泰史 ;

小川福生 .

中国专利 :CN110249080A ,2019-09-17

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-12-15	授权	授权
2011-12-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101230304753 IPC(主分类):C30B 15/20 专利号:ZL961025271 变更事项:专利权人变更前权利人:胜高股份有限公司变更后权利人:胜高股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京变更事项:共同专利权人变更前权利人:三菱麻铁里亚尔株式会社变更后权利人:无登记生效日:20111027
1996-11-27	公开	公开
2003-12-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社变更后:三菱住友硅晶株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社
1996-10-30	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1996-12-25	著录项目变更	著录项目变更变更事项:共同申请人变更前:三菱材料株式会社变更后:三菱麻铁里亚尔株式会社变更事项:申请人变更前:三菱硅材料株式会社变更后:三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社
2016-03-23	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101652156949 IPC(主分类):C30B 15/20 专利号:ZL961025271 申请日:19960226 授权公告日:19991215 终止日期:无
2011-12-07	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101230304752 IPC(主分类):C30B 15/20 专利号:ZL961025271 变更事项:专利权人变更前:三菱住友硅晶株式会社变更后:胜高股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京变更事项:共同专利权人变更前:三菱麻铁里亚尔株式会社变更后:三菱麻铁里亚尔株式会社