一种硅片的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910236244.9

申请日：

2009-10-23

公开(公告)号：

CN102044429A

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

朱哲渊

申请人：

申请人地址：

100026 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

申健

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/3065 变更事项:专利权人变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更后:北京北方华创微电子装备有限公司变更事项:地址变更前:100026 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼变更后:100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101080109949 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2009102362449 申请日:20091023
2012-10-31	授权	授权
2011-05-04	公开	公开

共 50 条

[1]

硅片的刻蚀方法 [P].

朱海云 ;

蒋中伟 ;

王京 .

中国专利 :CN112466749A ,2021-03-09

[2]

硅片刻蚀方法 [P].

严利均 ;

浦远 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN104124148B ,2014-10-29

[3]

一种硅片的刻蚀方法及刻蚀设备 [P].

张淋 ;

郑严严 ;

韩方亚 .

中国专利 :CN106449395A ,2017-02-22

[4]

一种刻蚀方法 [P].

张海苗 .

中国专利 :CN108962741A ,2018-12-07

[5]

一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统 [P].

袁陨来 ;

吴帅 ;

张鹏程 ;

王建波 ;

吕俊 .

中国专利 :CN114724942A ,2022-07-08

[6]

一种晶体硅片的刻蚀方法 [P].

沈波涛 ;

党继东 .

中国专利 :CN106571411B ,2017-04-19

[7]

一种硅片刻蚀方法 [P].

谢秋实 .

中国专利 :CN106571293A ,2017-04-19

[8]

硅片刻蚀的方法 [P].

荣延栋 .

中国专利 :CN101197269A ,2008-06-11

[9]

一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法 [P].

李毓平 ;

黄频 ;

刘文涛 ;

郭富强 ;

郝峥超 ;

魏齐 .

中国专利 :CN117316839B ,2024-02-13

[10]

硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法 [P].

陈曦鹏 ;

孙介楠 ;

郭宏雁 .

中国专利 :CN119650468B ,2025-10-31

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