增强沟槽型IGBT可靠性器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110310521.3

申请日：

2011-10-13

公开(公告)号：

CN102768948A

公开(公告)日：

2012-11-07

发明(设计)人：

王海军

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21331

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

孙大为

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101373119013 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011103105213 申请日:20111013
2012-11-07	公开	公开
2015-05-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714727390 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011103105213 申请公布日:20121107
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689703615 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011103105213 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140109

共 50 条

[1]

增强IGBT可靠性的器件制造方法 [P].

王海军 .

中国专利 :CN102737973A ,2012-10-17

[2]

一种沟槽IGBT器件的制造方法 [P].

永福 ;

红梅 ;

沈华 .

中国专利 :CN104835735A ,2015-08-12

[3]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118231251A ,2024-06-21

[4]

一种沟槽IGBT器件的制造方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105679668A ,2016-06-15

[5]

一种沟槽IGBT器件的制造方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105280493A ,2016-01-27

[6]

一种IGBT器件低频噪声可靠性评价方法 [P].

陈晓娟 ;

吴洁 ;

宫玉琳 ;

曲畅 ;

孙越 .

中国专利 :CN108614204A ,2018-10-02

[7]

一种沟槽IGBT器件的终端结构制造方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105679667A ,2016-06-15

[8]

沟槽型肖特基器件结构及其制造方法 [P].

郑晨炎 ;

张小辛 ;

傅静 .

中国专利 :CN103632959B ,2014-03-12

[9]

IGBT器件及制造方法 [P].

曹功勋 ;

仵嘉 ;

张敏 .

中国专利 :CN113451398A ,2021-09-28

[10]

IGBT器件的制造方法 [P].

冯超 ;

陈正嵘 ;

潘嘉 ;

姚廷辉 ;

靳宇 .

中国专利 :CN111900087B ,2020-11-06

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