半导体衬底的制造方法以及半导体装置的制造方法和由该方法制造的半导体衬底以及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03816397.7

申请日：

2003-05-08

公开(公告)号：

CN100355076C

公开(公告)日：

2005-09-14

发明(设计)人：

小椋厚志

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-12	授权	授权
2005-09-14	公开	公开
2016-06-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101667732811 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL038163977 申请日:20030508 授权公告日:20071212 终止日期:20150508
2005-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[2]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[3]

半导体衬底以及半导体装置的制造方法 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN115579377A ,2023-01-06

[4]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[5]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[6]

半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

古山将树 ;

井坂史人 ;

下村明久 ;

桃纯平 .

中国专利 :CN101937861B ,2011-01-05

[7]

半导体衬底、半导体衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN114188392A ,2022-03-15

[8]

半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

古山将树 ;

井坂史人 ;

下村明久 ;

桃纯平 .

中国专利 :CN101425455A ,2009-05-06

[9]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102593153A ,2012-07-18

[10]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101308783A ,2008-11-19

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