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提高EUV光刻胶及硬掩模选择性的图案化方案

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980045846.8
申请日：
2019-07-09
公开(公告)号：
CN112424693A
公开(公告)日：
2021-02-26
发明(设计)人：
南希·冯 志一·郎 和勇·大卫·黄
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
G03F720
IPC分类号：
G03F146 H01L21027 H01L21768 H01L213065
代理机构：
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人：
徐金国;赵静
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-02-26 公开 公开
2021-03-16 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20190709
共 50 条
[1]
提高EUV光刻胶及硬掩模选择性的图案化方案 [P]. 
南希·冯 ;
志一·郎 ;
和勇·大卫·黄 .
美国专利 :CN112424693B ,2024-05-31
[2]
EUV光刻用干光刻胶或硬掩模 [P]. 
G·I·梅杰尔 ;
V·韦伯 ;
L·莫林 ;
岸本章宏 ;
P·W·J·斯塔尔 .
美国专利 :CN121127801A ,2025-12-12
[3]
用于图案化EUV掩模上的光刻胶层的光刻系统和方法 [P]. 
林云跃 ;
陈嘉仁 ;
李信昌 ;
严涛南 .
中国专利 :CN105023832A ,2015-11-04
[4]
光刻胶、光刻胶组合产品及光刻胶图案化的方法 [P]. 
徐宏 ;
何向明 ;
刘天棋 .
中国专利 :CN115903376B ,2025-01-14
[5]
高耐热正性光刻胶以及形成光刻胶图案的方案 [P]. 
陆水忠 ;
戈士勇 ;
何珂 .
中国专利 :CN112114497B ,2024-02-20
[6]
高耐热正性光刻胶以及形成光刻胶图案的方案 [P]. 
陆水忠 ;
戈士勇 ;
何珂 .
中国专利 :CN112114497A ,2020-12-22
[7]
无限选择性的光刻胶掩膜蚀刻 [P]. 
金智洙 ;
彼得·西里格利亚诺 ;
李尚宪 ;
许东浩 ;
崔大汉 ;
S·M·列扎·萨贾迪 .
中国专利 :CN101421830A ,2009-04-29
[8]
无限选择性的光刻胶掩膜蚀刻 [P]. 
金智洙 ;
彼得·西里格利亚诺 ;
李尚宪 ;
许东浩 ;
崔大汉 ;
S·M·列扎·萨贾迪 .
中国专利 :CN105390390A ,2016-03-09
[9]
光刻胶的硅化方法及形成光刻胶掩模图形的方法 [P]. 
崔彰日 ;
李冬 .
中国专利 :CN101458460A ,2009-06-17
[10]
光刻胶及形成光刻图案的方法 [P]. 
钱晓春 ;
胡春青 ;
马丽君 .
中国专利 :CN111061126A ,2020-04-24
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