半导体器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310684020.0
申请日
2013-12-12
公开(公告)号
CN104716030B
公开(公告)日
2015-06-17
发明(设计)人
蒋莉
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L21321
代理机构
北京市磐华律师事务所 11336
代理人
高伟;付伟佳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[41]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
笠井直记 .
中国专利 :CN1236989A ,1999-12-01
[42]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
苏炳熏 ;
杨展悌 ;
叶甜春 ;
罗军 ;
赵杰 ;
薛静 .
中国专利 :CN113594161A ,2021-11-02
[43]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
尹海洲 ;
骆志炯 ;
朱慧珑 .
中国专利 :CN102237311B ,2011-11-09
[44]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
邢家明 ;
戴辛志 ;
肖海波 ;
高喜峰 ;
施喆天 .
中国专利 :CN115223933B ,2025-04-25
[45]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
古谷晃 .
中国专利 :CN1945825A ,2007-04-11
[46]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
弗罗林·尤德瑞 ;
吉翰·安尼尔·约瑟夫·阿玛拉汤加 .
中国专利 :CN1470073A ,2004-01-21
[47]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
满田胜弘 ;
本多光晴 ;
饭塚朗 .
中国专利 :CN100365769C ,2004-06-30
[48]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘焕新 ;
焦明洁 .
中国专利 :CN104752352A ,2015-07-01
[49]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
上田岳洋 .
中国专利 :CN1964047A ,2007-05-16
[50]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
川东章悟 .
中国专利 :CN1604334A ,2005-04-06