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半导体器件及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201310684020.0
申请日：
2013-12-12
公开(公告)号：
CN104716030B
公开(公告)日：
2015-06-17
发明(设计)人：
蒋莉
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21321
代理机构：
北京市磐华律师事务所 11336
代理人：
高伟;付伟佳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2015-07-15 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616810646 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2013106840200 申请日:20131212
2015-06-17 公开 公开
2018-03-20 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
蒋莉 .
中国专利 :CN104716172A ,2015-06-17
[2]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
蒋莉 .
中国专利 :CN104716258A ,2015-06-17
[3]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
蒋莉 .
中国专利 :CN104681423B ,2015-06-03
[4]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
王津洲 .
中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20
[5]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
王津洲 .
中国专利 :CN101211970B ,2008-07-02
[6]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
王津洲 .
中国专利 :CN100590889C ,2008-07-02
[7]
半导体器件的制作方法 [P]. 
蒋莉 .
中国专利 :CN104716029A ,2015-06-17
[8]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘煊杰 ;
陈晓军 .
中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27
[9]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
骆志炯 ;
朱慧珑 ;
尹海洲 .
中国专利 :CN102214690A ,2011-10-12
[10]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102969269A ,2013-03-13
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