半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310684020.0

申请日：

2013-12-12

公开(公告)号：

CN104716030B

公开(公告)日：

2015-06-17

发明(设计)人：

蒋莉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21321

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

高伟;付伟佳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616810646 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2013106840200 申请日:20131212
2015-06-17	公开	公开
2018-03-20	授权	授权

共 50 条

[21]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘俊文 ;

任小兵 ;

张花威 .

中国专利 :CN104835737A ,2015-08-12

[22]

半导体器件及其制作方法 [P].

李培权 ;

薛广杰 ;

刘志文 .

中国专利 :CN119560481A ,2025-03-04

[23]

半导体器件及其制作方法 [P].

吴秉桓 ;

林鼎佑 .

中国专利 :CN111199910B ,2024-07-26

[24]

半导体器件及其制作方法 [P].

黄晨 ;

蔡孟峯 .

中国专利 :CN114141641A ,2022-03-04

[25]

半导体器件及其制作方法 [P].

朱慧珑 ;

刘洪刚 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102315126A ,2012-01-11

[26]

半导体器件及其制作方法 [P].

杨欢 ;

宋华 ;

王蛟 .

中国专利 :CN105226047A ,2016-01-06

[27]

半导体器件及其制作方法 [P].

约瑟夫·俄依恩扎 .

中国专利 :CN102867857A ,2013-01-09

[28]

半导体器件及其制作方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103839983B ,2014-06-04

[29]

半导体器件及其制作方法 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109346532A ,2019-02-15

[30]

半导体器件及其制作方法 [P].

罗鹏程 ;

李广宁 .

中国专利 :CN105448987B ,2016-03-30

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