载能离化原子团束辅助化学气相沉积制备DLC薄膜的方法及其系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710573592.X

申请日：

2017-07-14

公开(公告)号：

CN107541713A

公开(公告)日：

2018-01-05

发明(设计)人：

陈益钢黄凯秦文斌陈安瑞

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

C23C1627

IPC分类号：

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

顾勇华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/27 申请公布日:20180105
2018-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/27 申请日:20170714
2018-01-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法 [P].

台国安 ;

胡廷松 ;

曾甜 ;

尤运城 ;

王旭峰 .

中国专利 :CN105132884A ,2015-12-09

[2]

气相法制备籽晶辅助化学气相沉积钙钛矿薄膜及其方法、器件 [P].

罗派峰 ;

李华博 .

中国专利 :CN117835770A ,2024-04-05

[3]

一种运用离化原子团簇结合HIPIMS技术制备高质量薄膜的方法 [P].

张克伟 ;

秦文斌 ;

林朝宗 ;

李宏霞 .

中国专利 :CN109402555A ,2019-03-01

[4]

在复杂形状刀具上制备金刚石薄膜的化学气相沉积方法 [P].

王勇 ;

马玉平 ;

孙方宏 ;

陈明 ;

张志明 .

中国专利 :CN1818131A ,2006-08-16

[5]

制备石墨烯薄膜的化学气相沉积设备及方法 [P].

李雪松 .

中国专利 :CN105399082A ,2016-03-16

[6]

用于化学气相沉积系统的样品制备高效生长载台 [P].

李克训 ;

王东红 ;

赵亚丽 ;

李哲 ;

王蓬 .

中国专利 :CN205067186U ,2016-03-02

[7]

化学气相沉积的晶片及薄膜温度的控制系统及其方法 [P].

吴中远 ;

钟步青 .

中国专利 :CN105624638B ,2016-06-01

[8]

多元掺杂热丝化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法 [P].

孙方宏 ;

张文骅 ;

张志明 ;

郭松寿 ;

沈荷生 .

中国专利 :CN102586762A ,2012-07-18

[9]

一种化学气相沉积制备镍薄膜、碳化镍薄膜的设备及其方法 [P].

刘忠伟 ;

杨丽珍 ;

郭群 ;

朱惠钦 .

中国专利 :CN108385084A ,2018-08-10

[10]

一种管内化学气相沉积制备薄膜的方法 [P].

赵松 ;

张永辉 ;

肖志超 ;

侯卫权 ;

苏君明 .

中国专利 :CN103484829B ,2014-01-01

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