一种二氧化硅薄膜的蚀刻液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010334995.0

申请日：

2020-04-24

公开(公告)号：

CN111471463B

公开(公告)日：

2020-07-31

发明(设计)人：

张庭贺兆波郝晓斌王书萍万杨阳李鑫景继磊

申请人：

申请人地址：

443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号

IPC主分类号：

C09K1308

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

成钢

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/08 申请日:20200424
2021-10-19	授权	授权
2020-07-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高选择比二氧化硅薄膜蚀刻液 [P].

李少平 ;

蒲帅 ;

张庭 ;

贺兆波 ;

董攀飞 ;

李金航 ;

武昊冉 ;

许真 ;

杨翠翠 .

中国专利 :CN119505909A ,2025-02-25

[2]

一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法 [P].

殷福华 ;

朱龙 ;

邵勇 .

中国专利 :CN104164237A ,2014-11-26

[3]

一种Gemini型非离子表面活性剂及其在二氧化硅薄膜蚀刻液中的应用 [P].

肖龙强 ;

郑月川 ;

侯琳熙 ;

赵玉来 ;

蔡静宇 .

中国专利 :CN118459361A ,2024-08-09

[4]

一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液 [P].

张庭 ;

贺兆波 ;

李金航 ;

李鑫 ;

尹印 ;

万杨阳 ;

武昊冉 .

中国专利 :CN114369460A ,2022-04-19

[5]

一种抑制二氧化硅蚀刻的磷酸蚀刻液 [P].

李少平 ;

张庭 ;

郝晓斌 ;

贺兆波 ;

冯凯 ;

王书萍 ;

尹印 ;

万杨阳 ;

张演哲 .

中国专利 :CN110804441A ,2020-02-18

[6]

介孔二氧化硅薄膜 [P].

矢野聪宏 .

中国专利 :CN101657383A ,2010-02-24

[7]

熔融二氧化硅薄膜 [P].

本·安诺 .

中国专利 :CN1488085A ,2004-04-07

[8]

二氧化硅薄膜及含二氧化硅薄膜元件的制造方法 [P].

李钱陶 ;

李定 ;

王潺 ;

金天义 ;

熊长新 .

中国专利 :CN111101096A ,2020-05-05

[9]

一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置及制备工艺 [P].

陈重佑 ;

任建业 ;

刘奕丰 ;

邱建铭 ;

陈少骏 ;

郑义达 ;

李文斌 ;

骆彦成 .

中国专利 :CN112044300B ,2020-12-08

[10]

二氧化硅薄膜用的冲洗溶液、二氧化硅薄膜及其生产方法 [P].

任浣熙 ;

郑日 ;

高尙兰 ;

金佑翰 ;

金哈尼 ;

尹熙灿 ;

李汉松 .

中国专利 :CN105695165A ,2016-06-22

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