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一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201310180562.4
申请日：
2013-05-16
公开(公告)号：
CN104164237A
公开(公告)日：
2014-11-26
发明(设计)人：
殷福华 朱龙 邵勇
申请人：
申请人地址：
214000 江苏省无锡市江阴市周庄镇长寿云顾路581号
IPC主分类号：
C09K1308
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2014-11-26 公开 公开
2017-01-11 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101744798757 IPC(主分类):C09K 13/08 专利申请号:2013101805624 申请公布日:20141126
共 50 条
[1]
一种二氧化硅薄膜的蚀刻液 [P]. 
张庭 ;
贺兆波 ;
郝晓斌 ;
王书萍 ;
万杨阳 ;
李鑫 ;
景继磊 .
中国专利 :CN111471463B ,2020-07-31
[2]
一种高选择比二氧化硅薄膜蚀刻液 [P]. 
李少平 ;
蒲帅 ;
张庭 ;
贺兆波 ;
董攀飞 ;
李金航 ;
武昊冉 ;
许真 ;
杨翠翠 .
中国专利 :CN119505909A ,2025-02-25
[3]
一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置及制备工艺 [P]. 
陈重佑 ;
任建业 ;
刘奕丰 ;
邱建铭 ;
陈少骏 ;
郑义达 ;
李文斌 ;
骆彦成 .
中国专利 :CN112044300B ,2020-12-08
[4]
一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用 [P]. 
侯军 ;
武文东 ;
赵晓莹 ;
孙昊然 .
中国专利 :CN118652686A ,2024-09-17
[5]
一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用 [P]. 
侯军 ;
武文东 ;
赵晓莹 ;
孙昊然 .
中国专利 :CN116855251B ,2024-07-09
[6]
一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液 [P]. 
张庭 ;
贺兆波 ;
李金航 ;
李鑫 ;
尹印 ;
万杨阳 ;
武昊冉 .
中国专利 :CN114369460A ,2022-04-19
[7]
一种抑制二氧化硅蚀刻的磷酸蚀刻液 [P]. 
李少平 ;
张庭 ;
郝晓斌 ;
贺兆波 ;
冯凯 ;
王书萍 ;
尹印 ;
万杨阳 ;
张演哲 .
中国专利 :CN110804441A ,2020-02-18
[8]
一种低表面张力二氧化硅蚀刻液及其制备方法和应用 [P]. 
阮岳峰 ;
周猛 ;
李立明 ;
陈启彪 .
中国专利 :CN119081702A ,2024-12-06
[9]
一种低表面张力二氧化硅蚀刻液及其制备方法和应用 [P]. 
阮岳峰 ;
周猛 ;
李立明 ;
陈启彪 .
中国专利 :CN119081702B ,2025-04-15
[10]
二氧化硅及其制备方法 [P]. 
于东磊 ;
郑银丽 ;
石明 ;
张颖 ;
仝少超 ;
吕学谦 ;
苏国良 .
中国专利 :CN119080013A ,2024-12-06
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