一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置及制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010862765.1

申请日：

2020-08-25

公开(公告)号：

CN112044300B

公开(公告)日：

2020-12-08

发明(设计)人：

陈重佑任建业刘奕丰邱建铭陈少骏郑义达李文斌骆彦成

申请人：

申请人地址：

364000 福建省龙岩市上杭县蛟洋镇坪埔村新村路71号3层

IPC主分类号：

B01F2550

IPC分类号：

C09K1308

代理机构：

厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101

代理人：

徐东峰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	授权	授权
2020-12-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01F 5/10 申请日:20200825
2020-12-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法 [P].

殷福华 ;

朱龙 ;

邵勇 .

中国专利 :CN104164237A ,2014-11-26

[2]

一种用于电子级铜蚀刻液的制备装置及制备工艺 [P].

陈重佑 ;

吴全贵 ;

赖延恩 ;

陈国民 ;

艾合买提艾尔肯 ;

李文斌 ;

郑义达 ;

骆彦成 ;

任建业 ;

刘奕丰 .

中国专利 :CN112058128B ,2020-12-11

[3]

一种二氧化硅薄膜的蚀刻液 [P].

张庭 ;

贺兆波 ;

郝晓斌 ;

王书萍 ;

万杨阳 ;

李鑫 ;

景继磊 .

中国专利 :CN111471463B ,2020-07-31

[4]

一种用于电子级铝蚀刻液的制备装置及制备工艺 [P].

陈重佑 ;

吴全贵 ;

赖延恩 ;

陈国民 ;

艾合买提艾尔肯 ;

李文斌 ;

郑义达 ;

骆彦成 ;

任建业 ;

刘奕丰 .

中国专利 :CN111996532B ,2020-11-27

[5]

一种高选择比二氧化硅薄膜蚀刻液 [P].

李少平 ;

蒲帅 ;

张庭 ;

贺兆波 ;

董攀飞 ;

李金航 ;

武昊冉 ;

许真 ;

杨翠翠 .

中国专利 :CN119505909A ,2025-02-25

[6]

一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液 [P].

张庭 ;

贺兆波 ;

李金航 ;

李鑫 ;

尹印 ;

万杨阳 ;

武昊冉 .

中国专利 :CN114369460A ,2022-04-19

[7]

一种胶体二氧化硅制备装置 [P].

孔慧 ;

李宏亮 ;

刘卫丽 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN214810843U ,2021-11-23

[8]

一种抑制二氧化硅蚀刻的磷酸蚀刻液 [P].

李少平 ;

张庭 ;

郝晓斌 ;

贺兆波 ;

冯凯 ;

王书萍 ;

尹印 ;

万杨阳 ;

张演哲 .

中国专利 :CN110804441A ,2020-02-18

[9]

一种电子级二氧化硅的制备方法 [P].

张原僖 ;

周日升 ;

庚廷瑞 ;

赵建卿 ;

梁建强 ;

王洁 .

中国专利 :CN101475181A ,2009-07-08

[10]

多孔二氧化硅的制备方法以及多孔二氧化硅 [P].

今井宏明 ;

绪明佑哉 ;

渡辺洋人 .

中国专利 :CN102834355B ,2012-12-19

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