一种抑制二氧化硅蚀刻的磷酸蚀刻液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911088527.3

申请日：

2019-11-08

公开(公告)号：

CN110804441A

公开(公告)日：

2020-02-18

发明(设计)人：

李少平张庭郝晓斌贺兆波冯凯王书萍尹印万杨阳张演哲

申请人：

申请人地址：

443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号

IPC主分类号：

C09K1306

IPC分类号：

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

成钢

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/06 申请日:20191108
2020-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二氧化硅薄膜的蚀刻液 [P].

张庭 ;

贺兆波 ;

郝晓斌 ;

王书萍 ;

万杨阳 ;

李鑫 ;

景继磊 .

中国专利 :CN111471463B ,2020-07-31

[2]

一种高选择比二氧化硅薄膜蚀刻液 [P].

李少平 ;

蒲帅 ;

张庭 ;

贺兆波 ;

董攀飞 ;

李金航 ;

武昊冉 ;

许真 ;

杨翠翠 .

中国专利 :CN119505909A ,2025-02-25

[3]

一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法 [P].

殷福华 ;

朱龙 ;

邵勇 .

中国专利 :CN104164237A ,2014-11-26

[4]

一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液 [P].

张庭 ;

贺兆波 ;

李金航 ;

李鑫 ;

尹印 ;

万杨阳 ;

武昊冉 .

中国专利 :CN114369460A ,2022-04-19

[5]

用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物 [P].

林廷训 ;

金大玹 ;

宇昌震 ;

朴成焕 .

中国专利 :CN102443395B ,2012-05-09

[6]

一种报废二氧化硅蚀刻液无害化处理方法 [P].

官香元 ;

刘晶 ;

姜璐 ;

张勇 ;

张秋玲 .

中国专利 :CN106336039A ,2017-01-18

[7]

一种基于纳米二氧化硅的电路板用蚀刻液 [P].

刘进军 .

中国专利 :CN105369250B ,2016-03-02

[8]

用于蚀刻含有二氧化硅的层的方法 [P].

马库斯·M·柯克霍夫 ;

约基恩·哈尼贝克 .

中国专利 :CN1130760C ,1999-04-07

[9]

一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液 [P].

张庭 ;

贺兆波 ;

叶瑞 ;

李金航 ;

徐子豪 ;

武昊冉 ;

许真 .

中国专利 :CN116240024B ,2025-03-28

[10]

二氧化硅组合物的选择性蚀刻 [P].

G·M·米歇尔 ;

S·A·莫蒂卡 ;

A·D·约翰逊 .

中国专利 :CN101667609A ,2010-03-10

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