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一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液

被引：0
申请号：
CN202111501522.6
申请日：
2021-12-09
公开(公告)号：
CN114369460A
公开(公告)日：
2022-04-19
发明(设计)人：
张庭 贺兆波 李金航 李鑫 尹印 万杨阳 武昊冉
申请人：
申请人地址：
443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号
IPC主分类号：
C09K1308
IPC分类号：
H01L21311
代理机构：
宜昌市三峡专利事务所 42103
代理人：
成钢
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-05-06 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/08 申请日:20211209
2022-04-19 公开 公开
共 50 条
[1]
一种二氧化硅薄膜的蚀刻液 [P]. 
张庭 ;
贺兆波 ;
郝晓斌 ;
王书萍 ;
万杨阳 ;
李鑫 ;
景继磊 .
中国专利 :CN111471463B ,2020-07-31
[2]
一种高选择比二氧化硅薄膜蚀刻液 [P]. 
李少平 ;
蒲帅 ;
张庭 ;
贺兆波 ;
董攀飞 ;
李金航 ;
武昊冉 ;
许真 ;
杨翠翠 .
中国专利 :CN119505909A ,2025-02-25
[3]
一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法 [P]. 
殷福华 ;
朱龙 ;
邵勇 .
中国专利 :CN104164237A ,2014-11-26
[4]
一种抑制二氧化硅蚀刻的磷酸蚀刻液 [P]. 
李少平 ;
张庭 ;
郝晓斌 ;
贺兆波 ;
冯凯 ;
王书萍 ;
尹印 ;
万杨阳 ;
张演哲 .
中国专利 :CN110804441A ,2020-02-18
[5]
一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液 [P]. 
李少平 ;
张庭 ;
郝晓斌 ;
贺兆波 ;
冯凯 ;
王书萍 ;
尹印 ;
万杨阳 ;
张演哲 .
中国专利 :CN110878208A ,2020-03-13
[6]
一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用 [P]. 
侯军 ;
武文东 ;
赵晓莹 ;
孙昊然 .
中国专利 :CN118652686A ,2024-09-17
[7]
一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用 [P]. 
侯军 ;
武文东 ;
赵晓莹 ;
孙昊然 .
中国专利 :CN116855251B ,2024-07-09
[8]
一种相对于二氧化硅的选择性硅锗蚀刻液 [P]. 
臧洋 ;
叶瑞 ;
余迪 ;
尹印 ;
贺兆波 ;
万杨阳 ;
张庭 ;
马瑞 .
中国专利 :CN117866634A ,2024-04-12
[9]
一种用于电子级二氧化硅蚀刻液的制备装置及制备工艺 [P]. 
陈重佑 ;
任建业 ;
刘奕丰 ;
邱建铭 ;
陈少骏 ;
郑义达 ;
李文斌 ;
骆彦成 .
中国专利 :CN112044300B ,2020-12-08
[10]
一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液 [P]. 
张庭 ;
贺兆波 ;
叶瑞 ;
李金航 ;
徐子豪 ;
武昊冉 ;
许真 .
中国专利 :CN116240024B ,2025-03-28
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