用于半导体结构接触的隔离件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210067310.6

申请日：

2012-03-14

公开(公告)号：

CN103050457A

公开(公告)日：

2013-04-17

发明(设计)人：

柯俊宏陈志辉黄明杰

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京德恒律师事务所 11306

代理人：

陆鑫;房岭梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-12	授权	授权
2013-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101457121929 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2012100673106 申请日:20120314
2013-04-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体隔离结构 [P].

琼·斯特里耶克 ;

伊内兹·埃米里克-维兰德 .

中国专利 :CN104979343B ,2015-10-14

[2]

用于半导体结构的支撑件 [P].

帕特里克·雷诺 ;

M·波卡特 ;

佛雷德里克·阿利伯特 ;

克里斯泰勒·维蒂佐 ;

L·卡佩罗 ;

I·伯特兰 .

中国专利 :CN110199375A ,2019-09-03

[3]

用于半导体结构的支撑件 [P].

克里斯托夫·菲盖 ;

O·科农丘克 ;

K·阿拉萨德 ;

G·费雷罗 ;

V·罗列尔 ;

克里斯泰勒·维蒂佐 ;

T·叶霍扬 .

中国专利 :CN109155276B ,2019-01-04

[4]

半导体结构及用于形成隔离结构的方法 [P].

蔡宗裔 ;

吴国裕 ;

卢泽华 .

中国专利 :CN114823757A ,2022-07-29

[5]

用于应力隔离的半导体封装件 [P].

G·奥斯特洛维奇 ;

A·南贾 ;

K·莫汉 .

美国专利 :CN118280936A ,2024-07-02

[6]

用于接触半导体的方法和用于半导体的接触组件 [P].

E·聚斯克 ;

E·盖尼兹 ;

G·布劳恩 .

中国专利 :CN103959449B ,2014-07-30

[7]

半导体封装件及其半导体结构 [P].

杨明宪 ;

许宏远 ;

吕长伦 .

中国专利 :CN104900635A ,2015-09-09

[8]

半导体接触结构 [P].

维克托·西佐夫 .

中国专利 :CN113555423A ,2021-10-26

[9]

用于半导体发光器件的接触 [P].

J.E.埃普勒 ;

A.J.F.戴维德 .

中国专利 :CN102804417A ,2012-11-28

[10]

具有增强的接触件的半导体结构及其制造方法 [P].

奥野泰利 ;

陈振隆 ;

张孟淳 ;

王菘豊 ;

白易芳 ;

鬼木悠丞 .

中国专利 :CN106601813A ,2017-04-26

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