用于接触半导体的方法和用于半导体的接触组件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280057174.0

申请日：

2012-11-20

公开(公告)号：

CN103959449B

公开(公告)日：

2014-07-30

发明(设计)人：

E·聚斯克 E·盖尼兹 G·布劳恩

申请人：

申请人地址：

德国斯图加特

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L2348 H01L23495

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

苏娟;马飞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586355421 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2012800571740 申请日:20121120
2017-06-30	授权	授权
2014-07-30	公开	公开

共 50 条

[1]

用于生产金属半导体接触的半导体元件和方法 [P].

B·威尔德潘纳 ;

H·冯坎佩 ;

W·巴斯 .

中国专利 :CN101369563B ,2009-02-18

[2]

用于半导体发光器件的接触 [P].

J.E.埃普勒 ;

A.J.F.戴维德 .

中国专利 :CN102804417A ,2012-11-28

[3]

用于半导体发光器件的接触 [P].

J.E.埃普勒 ;

A.J.F.戴维德 .

中国专利 :CN106057987A ,2016-10-26

[4]

半导体组件和用于制造半导体组件的方法 [P].

艾根尼娅·奥克斯 ;

斯特凡·普费弗莱因 .

中国专利 :CN111937143A ,2020-11-13

[5]

用于互联、插件和半导体组件的接触结构及其方法 [P].

伊戈尔·Y·汉德罗斯 ;

加埃唐·L·马蒂厄 .

中国专利 :CN1135268A ,1996-11-06

[6]

用于确定半导体元件的接触层的老化状态的方法及半导体组件 [P].

H·D·P·比克尔 ;

K·克里格尔 ;

G·米蒂奇 ;

S·斯特格梅尔 .

德国专利 :CN120693499A ,2025-09-23

[7]

用于在半导体衬底上构造接触部的方法和半导体装置 [P].

T·辛纳 ;

M·格里布 .

中国专利 :CN104170062A ,2014-11-26

[8]

用于功率半导体模块的外部接触元件和功率半导体模块 [P].

A·乌勒曼 ;

C·科赫 .

中国专利 :CN115000038A ,2022-09-02

[9]

功率半导体模块和接触组件 [P].

S.哈特曼恩 ;

D.特雷斯塞 ;

R.施内尔 .

中国专利 :CN203839372U ,2014-09-17

[10]

用于功率半导体模块的接触装置 [P].

彼得·莫尔 .

中国专利 :CN101901792A ,2010-12-01

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