用于在半导体衬底上构造接触部的方法和半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380012814.0

申请日：

2013-01-29

公开(公告)号：

CN104170062A

公开(公告)日：

2014-11-26

发明(设计)人：

T·辛纳 M·格里布

申请人：

申请人地址：

德国斯图加特

IPC主分类号：

H01L21285

IPC分类号：

H01L2104

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

郭毅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-26	公开	公开
2015-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101604304940 IPC(主分类):H01L 21/285 专利申请号:2013800128140 申请日:20130129
2017-04-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749882506 IPC(主分类):H01L 21/285 专利申请号:2013800128140 申请公布日:20141126

共 50 条

[1]

在半导体衬底上生成接触的方法 [P].

于尔根·科勒 ;

托比亚斯·罗德 ;

彼得·格拉比茨 ;

于尔根·沃纳 .

中国专利 :CN102422430A ,2012-04-18

[2]

半导体衬底和半导体装置 [P].

J·埃施 .

德国专利 :CN112053994B ,2025-02-07

[3]

半导体衬底和半导体装置 [P].

J·埃施 .

中国专利 :CN112053994A ,2020-12-08

[4]

用于制造半导体衬底的方法和用于制造集成在半导体衬底中的半导体器件的方法 [P].

H-J.舒尔策 ;

W.维尔纳 .

中国专利 :CN103700577A ,2014-04-02

[5]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[6]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[7]

半导体衬底、半导体封装结构和制造半导体装置的方法 [P].

呂文隆 .

中国专利 :CN110349935A ,2019-10-18

[8]

半导体衬底、半导体封装结构和制造半导体装置的方法 [P].

呂文隆 .

中国专利 :CN110349935B ,2025-02-11

[9]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[10]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

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