在表面起伏的衬底上形成小尺寸图形的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910201756.1

申请日：

2009-11-05

公开(公告)号：

CN102054672A

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

王雷吴鹏

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

王函

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689553496 IPC(主分类):H01L 21/027 专利号:ZL2009102017561 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108
2011-05-11	公开	公开
2011-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081912228 IPC(主分类):H01L 21/027 专利申请号:2009102017561 申请日:20091105
2012-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

制备小尺寸图形衬底的方法 [P].

袁根如 ;

陈诚 ;

郝茂盛 .

中国专利 :CN102103985A ,2011-06-22

[2]

在衬底上形成图案的方法 [P].

李泰文 ;

杨拥平 .

中国专利 :CN111724816A ,2020-09-29

[3]

在衬底上形成多阶表面的蚀刻方法 [P].

尹辉 ;

杨拥平 .

中国专利 :CN101614955A ,2009-12-30

[4]

一种在衬底上形成空腔结构的工艺方法 [P].

黄秋平 ;

董磊 .

中国专利 :CN120208158A ,2025-06-27

[5]

一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法 [P].

程鑫怡 ;

高雅楠 ;

腾明亮 .

中国专利 :CN117518742A ,2024-02-06

[6]

在衬底形成图案的方法 [P].

尹辉 ;

张军和 ;

金则清 .

中国专利 :CN106297831A ,2017-01-04

[7]

在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法 [P].

董鹏 ;

王军喜 ;

闫建昌 ;

张韵 ;

曾建平 ;

孙莉莉 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN103311097A ,2013-09-18

[8]

在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 [P].

梁萌 ;

李鸿渐 ;

姚然 ;

李志聪 ;

李盼盼 ;

王兵 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102534769B ,2012-07-04

[9]

在衬底上沉积材料的方法 [P].

吹上纪明 ;

凯瑟琳娜·巴比彻 .

中国专利 :CN100490069C ,2006-11-22

[10]

一种小尺寸图形的制作方法 [P].

崇二敏 ;

黄君 .

中国专利 :CN103903972A ,2014-07-02

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