基于弧形扩散区的雪崩光电探测器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811228418.2

申请日：

2018-10-22

公开(公告)号：

CN109346552A

公开(公告)日：

2019-02-15

发明(设计)人：

杨晓红王晖何婷婷刘凯宝

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L31107

IPC分类号：

H01L310352 H01L3118

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-19	授权	授权
2019-02-15	公开	公开
2019-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20181022

共 50 条

[1]

背入射雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

谢宗恒 ;

谢拾玉 .

中国专利 :CN119907320A ,2025-04-29

[2]

Be离子扩散保护环雪崩光电探测器芯片及其制作方法 [P].

杨彦伟 ;

刘宏亮 ;

邹颜 ;

刘格 .

中国专利 :CN110611011A ,2019-12-24

[3]

带载体的高速雪崩光电探测器芯片及其制作方法 [P].

王建 .

中国专利 :CN104576808B ,2015-04-29

[4]

硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法 [P].

郑婉华 ;

彭红玲 .

中国专利 :CN108573989B ,2018-09-25

[5]

一种雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

谢拾玉 ;

谢宗恒 ;

赵雅芝 .

中国专利 :CN117712215B ,2024-09-06

[6]

一种雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

谢拾玉 ;

谢宗恒 ;

赵雅芝 .

中国专利 :CN117712215A ,2024-03-15

[7]

新型零伏响应雪崩光电探测器芯片及其制作方法 [P].

王建 .

中国专利 :CN104576786A ,2015-04-29

[8]

近红外响应的硅基雪崩光电探测器及其制作方法 [P].

黄建 ;

江海波 ;

李睿智 ;

黄烈云 .

中国专利 :CN106449856A ,2017-02-22

[9]

雪崩光电探测器 [P].

郑纪元 ;

刘北辰 ;

汪莱 ;

罗毅 .

中国专利 :CN120813072A ,2025-10-17

[10]

雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

胡晓 ;

陈代高 ;

张宇光 ;

王磊 ;

肖希 .

中国专利 :CN114256375A ,2022-03-29

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