一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110102266.7

申请日：

2021-01-26

公开(公告)号：

CN112876602A

公开(公告)日：

2021-06-01

发明(设计)人：

顾大公许东升余绍山齐国强岳力挽马潇李珊珊毛智彪许从应

申请人：

申请人地址：

315800 浙江省宁波市北仑区柴桥街道青山路21号

IPC主分类号：

C08F22020

IPC分类号：

C08F22032 C08F22018 G03F7004

代理机构：

深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333

代理人：

贾振勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	公开	公开
2021-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08F 220/20 申请日:20210126

共 50 条

[1]

一种193nm光刻胶树脂的制备方法 [P].

李三保 ;

聂俊 .

中国专利 :CN119613607B ,2025-12-05

[2]

一种193nm光刻胶树脂的制备方法 [P].

李三保 ;

聂俊 .

中国专利 :CN119613607A ,2025-03-14

[3]

一种193nm光刻胶成膜树脂及其制备方法和正型光刻胶组合物 [P].

曾伟 .

中国专利 :CN114874384A ,2022-08-09

[4]

一种光刻胶树脂、制备方法及光刻胶 [P].

纪学顺 ;

蒋志强 ;

马吉全 .

中国专利 :CN121135937A ,2025-12-16

[5]

一种193nm分子玻璃光刻胶及其制备方法 [P].

曾伟 .

中国专利 :CN114721221A ,2022-07-08

[6]

光刻胶成膜树脂及其光刻胶组合物的制备方法 [P].

李永斌 ;

何龙龙 .

中国专利 :CN112679653B ,2021-04-20

[7]

含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂 [P].

冉瑞成 ;

沈吉 ;

庄学军 .

中国专利 :CN1834785A ,2006-09-20

[8]

一种光刻胶树脂及其制备方法 [P].

顾大公 ;

马潇 ;

余绍山 ;

陈鹏 ;

齐国强 ;

许东升 ;

毛智彪 ;

许从应 .

中国专利 :CN112794941A ,2021-05-14

[9]

含硅偶联剂的193nm光刻胶及其成膜树脂 [P].

冉瑞成 ;

沈吉 ;

孙小侠 .

中国专利 :CN1828418A ,2006-09-06

[10]

树脂及其制备方法、光刻胶、光刻方法 [P].

王辉 ;

廖辉华 ;

宋智辉 ;

康报虹 .

中国专利 :CN115521392A ,2022-12-27

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