一种半导体晶圆抛光方法和系统

被引：0

申请号：

CN202211167034.0

申请日：

2022-09-23

公开(公告)号：

CN115488746A

公开(公告)日：

2022-12-20

发明(设计)人：

江子标刘贺李新

申请人：

申请人地址：

213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区龙资路1号

IPC主分类号：

B24B2902

IPC分类号：

B24B2700 B24B4100 B24B4106 B24B5506 B24B5512

代理机构：

北京维正专利代理有限公司 11508

代理人：

黄勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-20	公开	公开
2023-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 29/02 申请日:20220923

共 50 条

[1]

半导体晶圆的抛光方法 [P].

赵厚莹 .

中国专利 :CN107953225A ,2018-04-24

[2]

一种半导体晶圆的抛光方法 [P].

赵厚莹 ;

李章熙 .

中国专利 :CN107958835A ,2018-04-24

[3]

一种半导体晶圆抛光装置 [P].

袭祥栋 ;

王军 .

中国专利 :CN119952605A ,2025-05-09

[4]

一种半导体晶圆边缘抛光装置及其抛光方法 [P].

周磊 ;

丁媛 ;

侯斌 ;

周富 .

中国专利 :CN120116125A ,2025-06-10

[5]

一种半导体晶圆边缘抛光装置及其抛光方法 [P].

周磊 ;

丁媛 ;

侯斌 ;

周富 .

中国专利 :CN120116125B ,2025-07-08

[6]

抛光半导体晶圆的方法 [P].

C·萨皮尔克 ;

T·耶施克 ;

田畑诚 ;

K·勒特格 .

中国专利 :CN101670546B ,2010-03-17

[7]

半导体晶圆和半导体晶圆的制造方法 [P].

园田真吾 ;

西弦正 ;

藤原拓哉 .

日本专利 :CN121123119A ,2025-12-12

[8]

一种宽禁带半导体晶圆抛光方法 [P].

柯聪明 ;

刘首麟 ;

庞义澳 ;

陆静 .

中国专利 :CN117381633A ,2024-01-12

[9]

一种半导体晶圆抛光装置 [P].

张志恒 .

中国专利 :CN212977873U ,2021-04-16

[10]

一种半导体晶圆抛光装置 [P].

余金 .

中国专利 :CN112589657B ,2021-04-02

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